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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 유형: | IGBT 모듈 | 패키지: | 신규 및 원본 |
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| 상태: | 신규 및 원본 | 리드 프리 상태: | Rohs 준수 |
| 배송: | DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 우편, DHL,UPS, 페덱스 및 EMS |
NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET 모듈 낮은 Rds ((on) 11mΩ 빠른 전환 고 주파수 고 온도 175 °C 낮은 손실 산업용 태양광 및 산업용 드라이브
특징
DIN 43 620 제1부부터 제4부까지
납 없는 접촉 블레이드
0% 카드미움
신청서
gG: 일반용 케이블 및 선 보호
설명
TheNH1GG69V125P고전압 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET 모듈로, 까다로운 산업용 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.그것은 69A의 연속 전류 용량과 함께 1250V 고성능 등급 전압을 제공합니다. SiC 기술의 우수한 특성을 활용하여 모듈은 11mΩ의 극히 낮은 온 상태 저항 (Rds ((on)) 을 갖추고 있으며, 이는 전도 손실을 크게 감소시킵니다.그것은 또한 최소한의 관련 손실과 함께 예외적으로 빠른 전환 속도를 가능하게, 높은 주파수 작동을 허용하여 전력 밀도가 증가하고 소형 수동 구성 요소로 이어집니다. 모듈은 산업용 수준의 견고성을 위해 설계되었습니다.가혹한 환경에서 안정적인 작동을 위해 높은 접합 온도를 지원합니다..
정보
| 항목 번호 | P219801 |
| 카탈로그 | NH1GG69V125P-2 |
| 설명 | DIN NH 표준 피지 링크 gG 크기 NH1 690VAC 125A 라이브 태그 스트라이커 몸 너비 44.60 mm |
| EAN/UPC 코드 | 8430399012346 |
| 등급 전압 AC IEC | 690V |
| 암페어 등급 | 125A |
| ROHS 준수 | 그래요 |
| AC 또는 DC | AC |
| 속도/기능 | gG |
| 피지 크기 | NH1 |
| 장착 | 클립 |
| AC 최대 I.R./브레이킹 용량: I1 | 80 kA |
| 설계 세부 사항 | 라이브 태그 |
| 표시 시스템 | 그래요 |
| 표시 시스템 유형 | 스트라이커 |
| 연결/터미널 재료 | 은으로 칠 된 구리 |
| 연결/터미널 유형 | 평평한 잎 |
| 제품 너비 | 44.6mm |
| 제품 길이 | 135mm |
| 제품 높이 | 64mm |
| 판매 패키지 양 | 3 EA |
| 포장 무게 판매 | 10.041kg |
| 패키지 너비 판매 | 132mm |
| 판매 패키지 길이 | 138mm |
| 팔고 있는 패키지 높이 | 40mm |
| 제품군 | 저전압 IEC 피지 |
| 몸체/보호물질 | 세라믹 |
| 제품 무게 | 0.347kg |
| 가등 전류 값에서 전력 분산 | 9.6W |
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강한 브랜드:
마이크로칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터실, 윈본드, 비샤이, ISSI, 인피니언, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
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