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IGBT 전원 모듈

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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IGBT 전원 모듈

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중국 SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters 공장

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2025-12-02 15:01:12
중국 SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters 공장

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2025-12-02 14:08:35
중국 NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET 모듈 낮은 Rds ((on) 3.3mΩ 빠른 전환 고 주파수 낮은 손실 높은 전력 밀도 산업용 등급 PV 인버터 및 모터 드라이브 공장

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NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET 모듈 낮은 Rds ((on) 3.3mΩ 빠른 전환 고 주파수 낮은 손실 높은 전력 밀도 산업용 등급 PV 인버터 및 모터 드라이브 특징 DIN 43 620 제1부부터 제4부까지 고립되지 않은 잡기 턱 이중 ... 자세히보기
2025-12-01 16:47:20
중국 NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET 모듈 낮은 Rds ((on) 11mΩ 빠른 전환 고 주파수 고 온도 175 °C 낮은 손실 산업용 태양광 및 산업용 드라이브 공장

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NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET 모듈 낮은 Rds ((on) 11mΩ 빠른 전환 고 주파수 고 온도 175 °C 낮은 손실 산업용 태양광 및 산업용 드라이브 특징 DIN 43 620 제1부부터 제4부까지 납 없는 접촉 블레이드 0% 카드미움 ... 자세히보기
2025-12-01 14:02:19
중국 NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET 낮은 Rds ((on) 18mΩ 빠른 전환 고 주파수 고 효율성 견고한 성능 TO-247 패키지 서버 SMPS 및 모터 드라이브 공장

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET 낮은 Rds ((on) 18mΩ 빠른 전환 고 주파수 고 효율성 견고한 성능 TO-247 패키지 서버 SMPS 및 모터 드라이브

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds(on) 18mΩ 고속 스위칭 고주파 고효율 강력한 성능 TO-247 패키지 서버 SMPS 및 모터 드라이브용 특징 VDS =60V, ID =50A RDS(ON)... 자세히보기
2025-11-27 14:54:51
중국 MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC 반 브릿지 모듈 낮은 Rds ((동) 빠른 전환 고 주파수 고 온도 작동 낮은 손실 산업용 공장

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC 반 브릿지 모듈 낮은 Rds ((동) 빠른 전환 고 주파수 고 온도 작동 낮은 손실 산업용

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC 반 브릿지 모듈 낮은 Rds ((동) 빠른 전환 고 주파수 고 온도 작동 낮은 손실 산업용 특징 □ IGBT CHIP (트렌치 + 필드 스톱 기술) □ 양 온도 계수와 함께 VCE (sat) □ 높은 단회로 능력 □ ... 자세히보기
2025-11-27 14:14:21
중국 MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET 전력 모듈 400V Low Rds(on) 1.6mΩ 고효율 고속 스위칭 자동차 등급 액체 냉각 xEV 트랙션 인버터용 공장

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET 전력 모듈 400V Low Rds(on) 1.6mΩ 고효율 고속 스위칭 자동차 등급 액체 냉각 xEV 트랙션 인버터용

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET 전력 모듈 400V 낮은 Rds(on) 1.6mΩ 고효율 고속 스위칭 자동차 등급 액체 냉각 xEV 트랙션 인버터용 특징 초고속 역회복 시간 소프트 역회복 특성 낮은 역회복 손실 낮은 순방향 전압 높은 서지 전류 ... 자세히보기
2025-11-26 17:17:38
중국 IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 낮은 Rds ((on) 65mΩ 빠른 전환 고주파 강성 보디 다이오드 고온 작동 TO-264 패키지 공장

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 낮은 Rds ((on) 65mΩ 빠른 전환 고주파 강성 보디 다이오드 고온 작동 TO-264 패키지

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 낮은 Rds ((on) 65mΩ 빠른 전환 고주파 강성 보디 다이오드 고온 작동 TO-264 패키지 특징 국제 표준 패키지 미니블록, 알루미늄 나이트라이드 고립 낮은 RDS (동) 및 QG 계곡 등급 낮은 패키지 ... 자세히보기
2025-11-26 16:52:34
중국 FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT 모듈 높은 전력 밀도 낮은 Vce ((sat) 빠른 전환 고 주파수 산업 드라이브 및 UPS를위한 강력한 SOA 공장

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT 모듈 높은 전력 밀도 낮은 Vce ((sat) 빠른 전환 고 주파수 산업 드라이브 및 UPS를위한 강력한 SOA

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT 모듈 고전력 밀도 낮은 Vce(sat) 빠른 스위칭 고주파수 강력한 SOA 산업용 드라이브 및 UPS용 특징 재생 작동을 위한 확대된 다이오드 4 kV AC 1분 절연 열 사이클링 능력 향상을 ... 자세히보기
2025-11-25 18:11:38
중국 FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT 고전력 밀도 낮은 Vce ((sat) 빠른 전환 고주파 강성 SOA UPS 및 태양광용 산업용 공장

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT 고전력 밀도 낮은 Vce ((sat) 빠른 전환 고주파 강성 SOA UPS 및 태양광용 산업용

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT 고전력 밀도 낮은 Vce ((sat) 빠른 전환 고주파 강성 SOA UPS 및 태양광용 산업용 특징 4kV AC 1분 단열 열순환 능력을 높이기 위한 AlSiC 기판 CTl> 400의 패키지 ... 자세히보기
2025-11-25 16:29:18
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