MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC 반 브릿지 모듈 낮은 Rds ((동) 빠른 전환 고 주파수 고 온도 작동 낮은 손실 산업용

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC 반 브릿지 모듈 낮은 Rds ((동) 빠른 전환 고 주파수 고 온도 작동 낮은 손실 산업용

특징

• □ IGBT CHIP (트렌치 + 필드 스톱 기술)

• □ 양 온도 계수와 함께 VCE (sat)

• □ 높은 단회로 능력

• □ 급속 한 전환 및 짧은 후류

• □ 신속하고 부드러운 역구제 기능이 있는 자유 바퀴 다이오드

• □ 변동 손실 이 적다

신청서

• □ 고 주파수 스위치 응용

• □ 의료용

• □ 운동/서보 제어

• □ UPS 시스템

설명

TheMMG200Q120B6TC고성능의 실리콘 카비드 (SiC) 반대교 전원 모듈로 강력한 산업 및 에너지 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.그것은 높은 효율과 전력 밀도를 제공하기 위해 SiC 기술의 우수한 특성을 활용, 1200V 등급 전압과 200A 등급 전류를 특징으로 합니다. 모듈은 전도 손실을 최소화 하는 극히 낮은 온 상태 저항 (Rds ((on)) 을 나타냅니다.반면 SiC의 빠른 전환 능력은 전환 손실을 크게 감소시킵니다.이것은 더 높은 주파수에서 작동 할 수 있으며, 더 작은 수동 구성 요소와 더 컴팩트한 시스템 디자인을 허용합니다.산업용 품질의 구조로 높은 온도와 까다로운 조건에서 안정적인 작동을 보장합니다..

그림

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