1MB1300SA-120B-52 1200V 1300A 하프 브리지 IGBT 모듈, 낮은 Vce(sat), 높은 단락 회로 내성, 낮은 스위칭 손실, 프레스 핏 기술, 대형 산업용 드라이브 및 고전력 UPS용

1MB1300SA-120B-52 1200V 1300A 하프 브리지 IGBT 모듈, 낮은 Vce(sat), 높은 단락 회로 내구성, 낮은 스위칭 손실, 프레스 핏 기술, 중공업 드라이브 및 고전력 UPS용

특징

• 초고전력 하프 브리지 모듈: 1200V / 1300A

• 고급 고전류 IGBT 및 다이오드 칩

• 매우 낮은 Vce(sat) (극도로 낮은 전도 손실)

• 최적화된 낮은 스위칭 손실

• 매우 높은 단락 회로 내구성 (SCWT)

• 낮은 인덕턴스 설계

• 프레스 핏 접촉 기술

• 통합 온도 모니터링 (NTC)

• 높은 신뢰성과 쉬운 유지 보수를 위해 설계됨

응용 분야

• 중공업 드라이브: 금속 압연 공장, 광산 굴착기 및 대형 압축기의 매우 큰 모터용.

• 고전력 무정전 전원 공급 장치 (UPS): 메가 데이터 센터 및 중요한 산업 시설용.

• 전력 변환 시스템 (PCS) 대규모 배터리 에너지 저장 스테이션 (BESS)용.

• 고전력 테스트 벤치 및 그리드 시뮬레이터.

• 재생 에너지 인버터 유틸리티 규모 프로젝트용.

설명

1MB1300SA-120B-52는 가장 까다로운 산업 응용 분야에서 메가와트급 전력 변환을 위해 설계된 초고전류 하프 브리지 IGBT 모듈입니다. 1200V의 높은 전압 정격과 1300A의 뛰어난 전류 용량을 결합합니다. 최신 세대의 IGBT 및 다이오드 칩을 사용하여 최소한의 전도 손실을 위한 매우 낮은 콜렉터-이미터 포화 전압(Vce(sat))과 고효율을 위한 최적화된 스위칭 특성의 훌륭한 균형을 달성합니다. 이 모듈은 매우 높은 단락 회로 내성, 낮은 내부 인덕턴스, 견고하고 무납땜이며 유지 보수가 용이한 전원 연결을 위한 프레스 핏 접촉 기술을 특징으로 하여 중요한 시스템에서 최대 가동 시간을 보장하도록 설계되었습니다.정보

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