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IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds ((on) 빠른 스위칭 논리 레벨 게이트 TO-220 패키지

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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큰 이미지 :  IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds ((on) 빠른 스위칭 논리 레벨 게이트 TO-220 패키지

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Infineon
인증: CE, GCF, ROHS
모델 번호: IRF5305PBF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: negotiable
포장 세부 사항: 원래 트레이에 먼저 포장 한 다음 상자, 마지막 포장을위한 버블 백에서.
배달 시간: 지불을받은 후 3-5 일
지불 조건: T/T, 서부 동맹,
공급 능력: 달 당 1000PCS
상세 제품 설명
유형: IGBT 모듈 패키지: 신규 및 기존F00R12KT4: 1200V 200A IGBT 모듈, 낮은 VCE(sat), 높은 단락 견고성 산업용 모터 드라이브 및 고전력 UPS를 위한 낮은 스위칭 손실 높은
상태: 신규 및 원본 무연 상태: Rohs 준수
배송 방법: DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 우편, DHL,UPS, 페덱스 및 EMS
강조하다:

P-Chan MOSFET TO-220 패키지

,

IRF5305PBF 고속 스위칭 MOSFET

,

로직 레벨 게이트 MOSFET -55V

IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds ((on) 빠른 스위칭 논리 레벨 게이트 TO-220 패키지


특징

  • P 채널 증강 모드전하 펌프나 레벨 셔퍼가 필요없이 높은 쪽 스위치를 단순화합니다.

  • -55V 배수전압 (Vdss)12V, 24V 및 48V 자동차 및 산업 버스 시스템에 적합합니다.

  • -31A 연속 배수 전류 (Id)● 중대 ~ 높은 전류 부하를 안전하게 처리합니다.

  • 65mΩ 최대 Rds (동)낮은 전도성 손실은 효율성을 향상시키고 열 발생을 줄입니다.

  • 논리 레벨 게이트 드라이브Vgs = -5V ~ -10V로 완전히 강화되어 3.3V / 5V 마이크로 컨트롤러와 호환됩니다.

  • 빠른 전환 속도낮은 게이트 충전 (Qg = 63nC 전형) 은 PWM 응용 프로그램에서 전환 손실을 최소화합니다.

  • RoHS 준수 및 납 없는"PBF" 후자는 환경 친화적 인 납 없는 끝을 나타냅니다.

 

신청서

  • 역극성 보호자동차 및 휴대용 장치의 우연한 배터리 반전으로부터 DC 입력 회로를 보호합니다.

  • 배터리 관리 시스템 (BMS)리소스 이온, LiFePO4 및 납산 배터리 팩을 위해 높은 측면 단속.

  • 로드 스위치- 임베디드 시스템에서 모듈, 센서 또는 주변 회로에 전원을 활성화 / 비활성화합니다.

  • DC 모터 제어작은 브러쉬 모터 (전기 도구, 펌프, 팬) 의 낮은 주파수 PWM 속도 조절

  • 전원 공급 장치 선택1차 배터리와 백업 배터리 또는 AC 어댑터 입력 사이의 스위치

  • LED 운전자동차 조명, 사이니지 및 산업용 램프에 대한 높은 측면 디밍 제어.

  • 태양 전지 제어기저전력 전력 시스템에서 패널이나 배터리의 단속 기능.

 

설명

IRF5305PBF첨단 HEXFET® 기술을 이용한 P 채널 전력 MOSFET입니다. 산업 표준 TO-220 패키지에 장착되어 있습니다.그것은 낮은 상태 저항과 빠른 스위칭 성능을 요구하는 고 효율의 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.-55V 및 -31A의 연속적인 배수 전류의 배수 소스 전압 등급으로, 이 장치는 로드 전환, 배터리 보호,및 전력 관리 회로에서 긍정적 인 지상 또는 높은 측면 P 채널 스위치가 선호되는 경우논리 레벨 게이트 드라이브는 마이크로 컨트롤러와 저전압 제어 회로와의 인터페이스를 단순화합니다.

 

정보

범주
원격 반도체 제품
트랜지스터
사실,MOSFET
单 DONE,MOSFET
다른 ID에 대한 Vgs (th) (최대)
4V @ 250μA
제조사
인피니온 테크놀로지
다른 Vgs (max) 에서 게이트 부하 (Qg)
63 nC @ 10 V
시리즈
HEXFET®
Vgs (최대)
±20V
포장
파이프 피팅
각기 다른 Vds에서 입력 용량 (CIS) (최대)
1200pF @ 25V
부분 상태
판매 중
전력 분산 (최대)
110W ((Tc)
FET 타입
P 채널
작동 온도
-55°C ~ 155°C (TJ)
기술
MOSFET (금속산화물)
장착형
구멍을 통해
배수 소스 전압 (Vdss)
55V
공급자의 장치 패키지
TO-220AB
25°C의 전류 - 연속 배수 (ID)
31A (Tc)
패키지/장치
TO-220-3
드라이브 전압 (최대 RDS ON, 최소 RDS ON)
10V
기본 제품 번호
IRF5305
각기 다른 ID와 Vgs에서 작동 저항 (최대)
60mOhm @ 16A, 10V

 

그림

IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds ((on) 빠른 스위칭 논리 레벨 게이트 TO-220 패키지 0

우리의 장점:전화기, PDA, 노트북 컴퓨터

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제안은 다음을 포함합니다.
통합 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴시터, 레지스터, 바리스터, 피지, 트림러 및 앰프 포텐시오미터, 트랜스포머, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록,크리스탈 및 앰프오시일레이터, 인덕터, 센서, 트랜스포머, IGBT 드라이버, LED,LCD, 컨버터, PCB (프린트 서킷 보드),PCBA (PCB 어셈블리)

강한 브랜드:
마이크로칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터실, 윈본드, 비샤이, ISSI, 인피니언, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등

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연락처 세부 사항
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

담당자: Mrs. Natasha

전화 번호: 86-13723770752

팩스: 86-755-82815220

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