FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 내구성 151년 보존 NoDelay 쓰기 3.6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

특징

• 64-Kbit 강유전체 램덤 액세스 메모리(F-RAM), 8K × 8로 논리적으로 구성

• 높은 내구성: 100조(1014) 읽기/쓰기

• 151년 데이터 보존 (페이지 10의 데이터 보존 및 내구성 참조)

• NoDelay™ 쓰기

• 고급 고신뢰성 강유전체 공정

• 빠른 2선 직렬 인터페이스(I2C)

• 최대 1MHz 주파수

• 직렬(I2C) EEPROM의 직접적인 하드웨어 교체

• 100kHz 및 400kHz에 대한 레거시 타이밍 지원

• 낮은 전력 소비

• 100 A (typ) 100kHz에서 활성 전류 • 3 A (typ) 대기 전류

• 전압 작동: VDD = 2.7V ~ 3.65V

• 산업 온도: –40 C ~ +85 C

• 패키지

• 8핀 소형 외형 집적 회로(SOIC) 패키지

• 8핀 얇은 듀얼 플랫 무연(DFN) 패키지

• 유해 물질 제한(RoHS) 준수

기능 설명

FM24CL64B는 고급 강유전체 공정을 사용하는 64-Kbit 비휘발성 메모리입니다. 강유전체 램덤 액세스 메모리 또는 F-RAM은 비휘발성이며 RAM과 유사한 읽기 및 쓰기를 수행합니다. EEPROM 및 기타 비휘발성 메모리로 인해 발생하는 복잡성, 오버헤드 및 시스템 수준의 신뢰성 문제를 제거하면서 151년 동안 안정적인 데이터 보존을 제공합니다.

EEPROM과 달리 FM24CL64B는 버스 속도로 쓰기 작업을 수행합니다. 쓰기 지연이 발생하지 않습니다. 각 바이트가 장치로 성공적으로 전송된 직후 데이터가 메모리 어레이에 기록됩니다. 다음 버스 사이클은 데이터 폴링 없이 시작할 수 있습니다. 또한 이 제품은 다른 비휘발성 메모리에 비해 상당한 쓰기 내구성을 제공합니다. 또한 F-RAM은 쓰기 작업에 쓰기 회로에 내부적으로 높은 전원 공급 전압이 필요하지 않으므로 EEPROM보다 쓰기 중에 훨씬 낮은 전력을 소비합니다. FM24CL64B는 1014 읽기/쓰기 사이클 또는 EEPROM보다 1억 배 더 많은 쓰기 사이클을 지원할 수 있습니다.

이러한 기능으로 인해 FM24CL64B는 빈번하거나 빠른 쓰기가 필요한 비휘발성 메모리 응용 분야에 이상적입니다. 예로는 쓰기 사이클 수가 중요한 데이터 로깅에서 EEPROM의 긴 쓰기 시간으로 인해 데이터 손실이 발생할 수 있는 까다로운 산업 제어에 이르기까지 다양합니다. 이러한 기능의 조합을 통해 시스템의 오버헤드를 줄이면서 더 자주 데이터를 쓸 수 있습니다.

정보

도면

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