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IRF4905PBF -55V P 채널 MOSFET 74A 전류 0.02Ω Rds ((동) TO-220AB 175°C 최대 폭파 등급

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Infineon
인증: CE, GCF, ROHS
모델 번호: IRF4905PBF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: negotiable
포장 세부 사항: 원래 트레이에 먼저 포장 한 다음 상자, 마지막 포장을위한 버블 백에서.
배달 시간: 3-5 일로 일하 대금을 받았습니다
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온,
공급 능력: 한달에 1000PCS
상세 제품 설명
기능: 승압, 강압 출력 구성: 긍정적이거나 부정적입니다
토폴로지: 상승, 뛰어오릅니다 출력 유형: 조정 가능
출력의 수: 1

IRF4905PBF

 

특징

첨단 공정 기술

초저저저항

동적 dv/dt 등급

175°C 운영 온도

빠른 전환

P 채널

완전히 대산 등급

납 없는

 

설명

인터내셔널 렉티파이어 (International Rectifier) 의 5세대 엑스페트 (HEXFET) 는 첨단 처리 기술을 사용하여 실리콘 면적당 극히 낮은 전압 저항을 달성합니다.HEXFET 파워 MOSFET가 잘 알려진 빠른 전환 속도와 견고한 장치 디자인과 결합됩니다., 설계자에게 매우 효율적이고 신뢰할 수있는 장치를 제공하여 다양한 응용 분야에서 사용할 수 있습니다.

TO-220 패키지는 약 50 와트까지의 전력 소모 수준에서 모든 상업 산업용 애플리케이션에 보편적으로 선호됩니다.TO 220의 낮은 열 저항력과 저렴한 패키지 비용은 산업 전반에 걸쳐 널리 받아들여지는 데 기여.

 

정보

 

분류
Mfr
시리즈
포장
튜브
부분 상태
액티브
FET 타입
기술
소스 전압 (Vdss)
55V
전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C
구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
10V
Rds ON (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
4V @ 250μA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
180nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 25V
FET 특징
-
전력 분산 (최대)
200W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격
-
장착형
구멍을 통해
공급자의 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
기본 제품 번호

 

 

그림

IRF4905PBF -55V P 채널 MOSFET 74A 전류 0.02Ω Rds ((동) TO-220AB 175°C 최대 폭파 등급 0

우리의 장점:

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제품 목록
전자 부품 시리즈를 공급, 반도체, 활성 및 수동 부품의 전체 범위를. 우리는 당신이 PCB의 모든 Bom를 얻을 수 있도록 도울 수 있습니다.


제안은 다음을 포함합니다.
통합 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴시터, 레지스터, 바리스터, 피지, 트림러 & 포텐시오미터, 트랜스포머, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록,크리스탈 & 오시레이터, 인듀서, 센서, 트랜스포머, IGBT 드라이버, LED,LCD, 컨버터, PCB (프린트 서킷 보드),PCBA (PCB 어셈블리)

강한 브랜드:
마이크로 칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터 실, 윈 본드, 비샤이, ISSI, 인피니온, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등

연락처 세부 사항
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담당자: Mrs. Natasha

전화 번호: 86-13723770752

팩스: 86-755-82815220

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