정상은 중국에 있는 직업적인 전자 부품 분배자입니다.
우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 포장 유형: | 릴 트레이 튜브 테이프 백 | 작동 온도: | -40 ° C ~ 125 ° C |
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| 패키지 / 케이스: | WSON-8 | 장착 유형: | smd/smt |
| 제조 날짜 코드: | 2024+ | 기능: | 내려오다 |
| 강조하다: | 로직 레벨 구동 P 채널 MOSFET,AEC-Q101 P 채널 MOSFET,SI2333DDS-T1-GE3 20V P 채널 MOSFET |
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특징
그리고bull; TrenchFETandreg; 파워 MOSFET
그리고 황소; 100% Rg 테스트
소재 분류: 적합성의 정의를 참조하십시오.
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응용 프로그램
스마트 폰 및 태블릿 PC
- 로드 스위치
- 배터리 스위치
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전반적인 설명
Sl2333DDS-T1-GE3는 초소형 sC-70-3 패키지에 첨단 20V P 채널 MOSFET이며, 공간 제한, 고효율 전력 관리 애플리케이션에 최적화되었습니다.8V 논리 레벨 드라이브 및 00.0459 초저 Rds (on) 로 휴대용 전자제품, 자동차 시스템 및 로트 장치에서 우수한 성능을 제공합니다.
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정보
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분류
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디스크리트 반도체 제품
트랜지스터
FET, MOSFET
단일 FET, MOSFET
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Mfr
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비샤이 실리코닉스
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시리즈
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트렌치FETandreg
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포장
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테이프와 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디지-리랜드레그
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부분 상태
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액티브
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FET 타입
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P 채널
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기술
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MOSFET (금속산화물)
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소스 전압 (Vdss)
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12V
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전류 - 연속 배수 (Id) @ 25anddeg;C
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6A (Tc)
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구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
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1.5V, 4.5V
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Rds ON (Max) @ Id, Vgs
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28mOhm @ 5A, 4.5V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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1V @ 250andmicro;A
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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35 nC @ 8 V
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Vgs (최대)
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+mn;8V
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입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
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1275 pF @ 6V
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FET 특징
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전력 분산 (최대)
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1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
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작동 온도
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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등급
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자격
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장착형
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표면 마운트
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공급자의 장치 패키지
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SOT-23-3 (TO-236)
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패키지 / 케이스
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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기본 제품 번호
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SI2333
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그리고nbsp;
그림
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모든 종류의 부품에 대한 필요를 충족시키는 것을 확인하십시오.^_^
제품 목록
전자 부품 시리즈를 공급, 반도체 전체 범위, 액티브 및 패시브 컴포넌트. 우리는 PCB의 모든 Bom를 얻을 수 있도록 도울 수 있습니다.
제안은 다음을 포함합니다.
통합 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴시터, 레지스터, 바리스터, 피지, 트림러 및 앰프 포텐시오미터, 트랜스포머, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록,크리스탈 및 앰프오시일레이터, 인덕터, 센서, 트랜스포머, IGBT 드라이버, LED,LCD, 컨버터, PCB (프린트 서킷 보드),PCBA (PCB 어셈블리)
강한 브랜드:
마이크로칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터실, 윈본드, 비샤이, ISSI, 인피니언, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220
