TL084BCDR 쿼드 JFET-인पुट 오프 앰프 4MHz 대역폭 13V/μs 스레브 속도 ±18V 공급 3pA 입력 편향 SOIC-14 -40°C ~ +125°C

TL084BCDR 쿼드 JFET 입력 연산 증폭기 4MHz 대역폭 13V/μs 슬루율 ±18V 전원 3pA 입력 바이어스 SOIC-14 -40°C ~ +125°C

특징

• 높은 슬루율: 20V/μs (TL08xH, 일반)

• 낮은 오프셋 전압: 1mV (TL08xH, 일반)

• 낮은 오프셋 전압 드리프트: 2 μV/°C

• 낮은 전력 소비: 940μA/ch (TL08xH, 일반)

• 넓은 공통 모드 및 차동 전압 범위 – 공통 모드 입력 전압 범위는 VCC+를 포함합니다.

• 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류

• 낮은 노이즈: Vn = 18nV/√ Hz (일반) at f = 1kHz

• 출력 단락 보호

• 낮은 총 고조파 왜곡: 0.003% (일반)

• 넓은 전원 전압: ±2.25V ~ ±20V, 4.5V ~ 40V

응용 분야

• 태양 에너지: 스트링 및 중앙 인버터

• 모터 드라이브: AC 및 서보 드라이브 제어 및 전력 스테이지 모듈

• 단상 온라인 UPS

• 삼상 UPS

• 프로 오디오 믹서

• 배터리 테스트 장비

설명

TL08xH (TL081H, TL082H 및 TL084H) 장치 제품군은 업계 표준 TL08x (TL081, TL082 및 TL084) 장치의 차세대 버전입니다. 이 장치는 낮은 오프셋(1mV, 일반), 높은 슬루율(20V/μs) 및 양의 전원에 대한 공통 모드 입력을 포함한 기능을 통해 비용에 민감한 응용 분야에 탁월한 가치를 제공합니다. 높은 ESD(1.5kV, HBM), 통합 EMI 및 RF 필터, 전체 –40°C ~ 125°C에서 작동을 통해 TL08xH 장치를 가장 혹독하고 까다로운 응용 분야에서 사용할 수 있습니다.

정보

도면

당사의 장점:

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제품 목록
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제안 포함:
집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 단자대, 크리스탈 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)

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