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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 주파수 안정성: | ±50ppm | 주파수 허용오차: | ±30ppm |
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| 작동 온도: | -40 ° C ~ 85 ° C | 부하 커패시턴스: | 18pF |
| 패키지 / 케이스: | HC-49/미국 | 이름: | 패시브 전자부품 |
| 강조하다: | CSD17304Q3,CSD17304Q3 N-채널 NexFET,30V N-채널 NexFET |
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CSD17304Q3
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특징
andbull; 5V 게이트 드라이브에 최적화
andbull; 초저 Qg 및 Qgd
andbull; 낮은 열 저항
andbull; 애벌런치 정격
andbull; PbFree 단자 도금
andbull; RoHS 준수
andbull; 할로겐 프리
andbull; SON 3.3mmandtimes;3.3mm 플라스틱 패키지
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응용 분야
andbull; 노트북 부하 지점
andbull; 부하 지점 동기식 벅
andnbsp;andnbsp;네트워킹, 통신 및 컴퓨팅 시스템
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설명
CSD17304Q3는Texas Instruments (TI)의30V N 채널 NexFETandtrade; 전력 MOSFET이며, 고급SON 3.3x3.3mm 패키지를 특징으로 합니다.고전류, 고효율 전력 변환을 위해 설계되었으며, 초저 Rds(on) (2.2mandOmega;) 및 60A 연속 전류 용량으로자동차 전자 제품, 산업용 전력 시스템 및 모터 드라이브
전도 손실 60% 감소 (5mandOmega; MOSFET 대비)✔
전도 손실 60% 감소 (5mandOmega; MOSFET 대비)✔
전도 손실 60% 감소 (5mandOmega; MOSFET 대비)✔
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1MHz PWM 스위칭 지원
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정보
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단일 FET, MOSFET
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Texas Instruments
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NexFETandtrade;
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포장
테이프 and 릴 (TR)
컷 테이프 (CT)
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Digi-Reelandreg;
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부품 상태
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활성
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N 채널
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MOSFET (금속 산화물)
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드레인-소스 전압 (Vdss)
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30 V
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15A (Ta), 56A (Tc)
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구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
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3V, 8V
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Rds On (최대) @ Id, Vgs
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7.5mOhm @ 17A, 8V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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1.8V @ 250andmicro;A
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게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
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6.6 nC @ 4.5 V
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Vgs (최대)
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+10V, -8V
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
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955 pF @ 15 V
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자격
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전력 소비 (최대)
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2.7W (Ta)
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작동 온도
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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자격
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자격
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장착 유형
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표면 실장
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공급업체 장치 패키지
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8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
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8-PowerTDFN
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CSD17304
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