NDS331N 20V N 채널 MOSFET 1.6A 연속 0.25Ω Rds ((on) SOT-23 1.8V 논리 레벨 -55°C ~ +150°C

NDS331N 20V N 채널 MOSFET 1.6A 연속 0.25Ω Rds ((on) SOT-23 1.8V 논리 레벨 -55°C ~ +150°C

특징

1.3A, 20V

RDS (동) = 0.21 @ VGS = 2.7 V

RDS (동) = 0.16 @ VGS = 4.5 V

업계 표준 윤곽 SOT−23 표면 장착 패키지 사유 SUPERSOT −3 디자인을 사용하여 우수한 열 및 전기 용량을 제공합니다

매우 낮은 RDS를 위한 고밀도 셀 설계 (on)

예외적 켜기 저항 및 최대 DC 전류 용량

이것은 Pb-Free 장치입니다.

일반 설명

이 N-채널 논리 레벨 강화 모드 전력장 효과 트랜지스터는 ONSEMI의 독점, 높은 세포 밀도, DMOS 기술을 사용하여 생산됩니다.이 매우 높은 밀도 프로세스는 특히 on−state 저항을 최소화하기 위해 제작되었습니다이 장치는 특히 노트북 컴퓨터, 휴대 전화, PCMCIA 카드 및 빠른 스위치가 필요한 다른 배터리 전동 회로에서 낮은 전압 응용 프로그램에 적합합니다.그리고 낮은 in−line 전력 손실은 매우 작은 윤곽 표면 마운트 패키지에 필요합니다.

응용 프로그램

휴대용 전자

로드 스위칭: 스마트폰, TWS 이어폰의 전력 관리

배터리 보호: 충전 / 방하 경로 스위치로 작용합니다 (1.6A 연속 전류를 지원합니다).

저전력 DC-DC 변환

동시 수정: Buck/Boost 칩 (예를 들어, TPS61093) 과 결합하여 0.250 Rds ((on) 를 통해 효율성을 향상시킵니다.

레벨 전환: 신호 격리를 위한 1.8V/3.3V/5V 논리 시스템과 호환된다.

센서 및 신호 처리

센서 전력 전환: 온도/습도 센서, 광 모듈에 대한 에너지 절감 제어.

아날로그 스위칭: 저전압 (<20V) 신호 경로에서 기계적 릴레를 대체합니다.

산업 통제

PLC l/O 인터페이스: LED 또는 작은 릴레를 구동합니다 (flyback 다이오드가 필요합니다).
저쪽 스위치: 팬, 작은 모터 등을 제어합니다.

정보

그림

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