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우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 주파수 안정도: | ±50ppm | 주파수 허용오차: | ±30ppm |
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| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C | 부하 커패시턴스: | 18pF |
| 패키지 / 케이스: | HC-49/미국 | 이름: | 패시브 전자부품 |
| 강조하다: | IPA60R360P7SXKSA1,IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET |
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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSTM 360mΩ RDS ((동) 11A 전류 극저소 전환 손실 고효율 강성 ESD 보호 TO-220 SMPS 및 산업용 패키지
특징
•PFC와LLC를 켜기 위해 딱딱하고 부드러운 용도로
•교환 및 유도 손실의 현저한 감소
•우수한ESD강도>2kV (HBM) 모든 제품
•경쟁과 비교하여 더 나은 RDS (~) / 패키지 제품
이점
•PFC 및 PWM 단계에 걸쳐 줄이는 경향과 노화를 통해 사용 편리성과 빠른 설계
• 스위치 및 송전 손실을 줄이기 위한 단순화 된 열 관리
•소규모의발자국과 더 높은 제조 품질의 제품을 사용하여 2kVESD 보호>를 위한 솔루션으로 가능해지는 더 많은 전력밀도
잠재적인 적용
PFC 스테이지, 하드 스위칭 PWM 스테이지 및 레조넌트 스위칭 스테이지, 예를 들어 PC 실버박스, 어댑터, LCDandPDPTV, 조명, 서버, 통신 및 UPS.
제품 검증
JEDEC 표준에 따라 자격
MOSFET
600V CoolMOSa P7 전원 장치
쿨모스TM 7세대 플랫폼은 초연결 (SJ) 원칙에 따라 설계된 고전압 전력 MOSFET에 대한 혁명적 기술이며, 인파인온 테크놀로지가 선도했습니다.600V CoolMOSTMP7 시리즈는 CoolMOSTMP6 시리즈의 성공입니다그것은 빠른 스위칭SJMOSFET의 장점과 사용의 우수한 간편성을 결합합니다. 예를 들어, 매우 낮은 링 경향, 고장 전환에 대한 신체 다이오드의 탁월한 강도 및 우수한 ESD 능력.매우 낮은 스위치 및 전도 손실이 스위치 응용 프로그램을 더욱 효율적으로 만듭니다.더 밀집하고 훨씬 더 시원합니다.
정보
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분류
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Mfr
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시리즈
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포장
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튜브
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부분 상태
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액티브
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FET 타입
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기술
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소스 전압 (Vdss)
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600V
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전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C
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구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
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10V
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Rds ON (Max) @ Id, Vgs
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360mOhm @ 2.7A, 10V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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4V @ 140μA
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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13nC @ 10V
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Vgs (최대)
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±20V
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입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
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555pF @ 400V
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FET 특징
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-
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전력 분산 (최대)
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22W (Tc)
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작동 온도
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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등급
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자격
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장착형
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구멍을 통해
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공급자의 장치 패키지
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PG-TO220-FP
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패키지 / 케이스
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기본 제품 번호
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그림
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