IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb 밀도 166MHz 속도 3.3V 운영 16Mx16 조직 LVTTL 인터페이스 산업 온도 (-40°C~85°C) 컴팩트 TSOP-II 패키지 높은 신뢰성

IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb 밀도 166MHz 속도 3.3V 운영 16Mx16 조직 LVTTL 인터페이스 산업 온도 (-40도C ~ 85도C) 컴팩트 TSOP-II 패키지 높은 신뢰성

그리고nbsp;

특징

엑스포, 시계 주파수: 166, 143, 133 MHz

andbull; 완전 동기화; 모든 신호는 긍정적 시계의 가장자리에 참조

그리고 황소; 숨겨진 행 접근 / 사전 충전을위한 내부 은행

그리고 황소; 전원 공급

그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고, 그리고

그리고nbsp; IS42/45S16320B 3.3Vandnbsp; 그리고nbsp;3.3V

IS42S86400Bandnbsp; 및nbsp; 및nbsp; 3.3Vandnbsp; 및nbsp;3.3V

andbull; LVTTL 인터페이스

그리고 bull; 프로그래밍 가능한 폭발 길이가 andndash; (1, 2, 4, 8, 전체 페이지)

andbull; 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 / 간격

andbull; 자동 갱신 (CBR)

그리고불; 셀프 리프레쉬

andbull; 8K 갱신 주기가 16ms (A2 등급) 또는 64ms (상업, 산업, A1 등급)

andbull; 임의 열 주소가 각 시계 사이클

andbull; 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (2, 3 시간)

andbull; Burst 읽기/쓰기 및 Burst 읽기/일본 쓰기 동작 기능

andbull; burst stop와 precharge 명령에 의해 폭발 종료

andbull; 54핀 TSOP-II 및 54볼 W-BGA (x16만) 에서 사용할 수 있습니다.

앙불; 작동 온도 범위:

상업용: 0oC ~ + 70oC

산업용: -40oC ~ +85oC

자동차, A1: -40oC ~ +85oC

자동차, A2: -40oC ~ +105oC

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전반적인 설명

ISSIand#39;의 512Mb 동기 DRAM은 파이프라인 아키텍처를 사용하여 고속 데이터 전송을 달성합니다. 모든 입력 및 출력 신호는 시계 입력의 상승 가장자리에 참조합니다.512Mb의 SDRAM은 다음과 같이 구성되어 있습니다..

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장치의 개요

512Mb SDRAM는 고속 CMOS, 3.3V Vdd 및 3.3V Vddq 메모리 시스템에서 작동하도록 설계된 동적 무작위 액세스 메모리이며 536,870912비트, 내부적으로 동시 인터페이스가 있는 쿼드 뱅크 DRAM로 구성되어 있습니다.217728비트 은행은 8192줄, 1024줄, 16비트로 구성되어 있습니다.217728비트 은행은 8,192줄에 2048줄에 8비트로 구성되어 있습니다.

512Mb SDRAM에는 AUTO REFRESH MODE와 전력 절약, 전력 다운 모드가 포함되어 있습니다. 모든 신호는 클럭 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.모든 입력과 출력은 LVTTL 호환.

512Mb의 SDRAM은 자동 열 주소 생성과 함께 높은 데이터 속도로 데이터를 동기화 할 수 있습니다.내부 뱅크들 사이에 틈새를 가해 전 충전 시간을 숨길 수 있는 기능과 펄스 액세스 중에 각 시계 사이클에서 기둥 주소를 무작위로 변경할 수 있는 기능.

자율적으로 시간 정렬 된 라인 사전 충전이 폭발 순서의 끝에서 시작되며 AUTO PRECHARGE 기능이 활성화되어 있습니다.다른 세 은행의 하나에 액세스하는 동안 한 은행을 미리 충전, 고속, 무작위 접근 작업.

SDRAM 읽기 및 쓰기 접근은 선택된 위치에서 시작하여 프로그래밍 된 순서에서 프로그래밍 된 위치의 숫자를 계속합니다.ACTIVE 명령어 등록 시작 액세스, 다음으로 READ 또는 WRITE 명령어. 등록된 주소 비트와 함께 ACTIVE 명령어는 액세스 할 은행과 행을 선택하는 데 사용됩니다 (BA0, BA1 은행을 선택;A0-A12 행을 선택). 등록된 주소 비트와 함께 READ 또는 WRITE 명령어는 번스트 액세스를위한 시작 열 위치를 선택하는 데 사용됩니다.

프로그래밍 가능한 READ 또는 WRITE 번스트 길이는 1, 2, 4 및 8 위치 또는 전체 페이지로 구성되며 번스트 종료 옵션이 있습니다.

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설명

512Mb SDRAM는 3.3V에서 작동하는 쿼드 뱅크 DRAM이며 동기 인터페이스를 포함합니다 (모든 신호는 시계 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.217728비트 은행은 8192줄에 1024줄에 16비트 또는 8192줄에 2048줄에 8비트로 구성되어 있습니다.

SDRAM에 대한 읽기 및 쓰기 액세스는 번스트 지향적입니다. 액세스 작업은 선택한 위치에서 시작하여 프로그래밍 된 순서에서 프로그래밍 된 위치의 숫자를 계속합니다.접근은 ACTIVE 명령어를 등록하는 것으로 시작됩니다. 다음으로 READ 또는 WRITE 명령어가 따라옵니다.. ACTIVE 명령어와 일치하는 주소 비트는 액세스 할 은행과 행을 선택하는 데 사용됩니다 (BA0 및 BA1은 은행을 선택, A0 A12는 행을 선택). 주소 비트 A0-A9 (x16);A0-A9, A11 (x8) 는 READ 또는 WRITE 명령어와 일치하는 등록을 시작 열 위치를 선택하기 위해 사용 됩니다.

정상 작동 전에 SDRAM은 초기화되어야 합니다. 다음 섹션에서는 장치 초기화, 레지스터 정의,명령어 설명 및 장치 작동.

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정보

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그림

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