정상은 중국에 있는 직업적인 전자 부품 분배자입니다.
우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| Function: | Step-Up, Step-Down | Output Configuration: | Positive or Negative |
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| Topology: | Buck, Boost | Output Type: | Adjustable |
| Number of Outputs: | 1 | ||
| 강조하다: | AEC-Q101을 가진 40V P 채널 MOSFET,NexFET MOSFET 50A 전류 등급,낮은 Qg SON 패키지 MOSFET |
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CSD25404Q3T 40V P 채널 NexFETTM MOSFET 8.5mΩ RDS ((on) 50A 전류 175°C 등급 낮은 Qg 3.3mm×3.3mm SON 패키지 AEC-Q101 자격 & 할로겐 무료 설계
특징
• 극저 Qg 및 Qgd
• 낮은 열 저항
• LowRDS (동)
• 하로겐 자유
• RoHS 컴플라이언스
• PbFree 터미널 플래팅
• SON3.3mm×3.3mm플라스틱 패키지
신청서
• DC-DCC 변환기
• 배터리 관리
• 로드 스위치
• 배터리 보호
설명
이 20V, 5.5mΩ NexFETTM 전력 MOSFET는 SON 3.3mm × 3로 전력 변환 부하 관리 응용 프로그램에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다.3mm 패키지, 장치 크기에 대한 우수한 열 성능을 제공합니다..
정보
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분류
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Mfr
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시리즈
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포장
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테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
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부분 상태
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액티브
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FET 타입
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기술
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소스 전압 (Vdss)
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20V
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전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C
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구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
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1.8V, 4.5V
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Rds ON (Max) @ Id, Vgs
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6.5mOhm @ 10A, 4.5V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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1.15V @ 250μA
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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14.1 nC @ 4.5 V
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Vgs (최대)
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±12V
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입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
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2120 pF @ 10V
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FET 특징
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-
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전력 분산 (최대)
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2.8W (Ta), 96W (Tc)
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작동 온도
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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등급
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-
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자격
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-
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장착형
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표면 마운트
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공급자의 장치 패키지
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8-VSONP (3x3.3)
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패키지 / 케이스
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기본 제품 번호
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그림
우리의 장점:
모든 종류의 부품에 대한 필요를 충족시키는 것을 확인하십시오.^_^
제품 목록
전자 부품 시리즈를 공급, 반도체, 활성 및 수동 구성 요소의 전체 범위를. 우리는 PCB의 모든 Bom를 얻을 수 있도록 도울 수 있습니다.
제안은 다음을 포함합니다.
통합 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴시터, 레지스터, 바리스터, 피지, 트림러 & 포텐시오미터, 트랜스포머, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록,크리스탈 & 오시레이터, 인듀서, 센서, 트랜스포머, IGBT 드라이버, LED,LCD, 컨버터, PCB (프린트 서킷 보드),PCBA (PCB 어셈블리)
강한 브랜드:
마이크로 칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터 실, 윈 본드, 비샤이, ISSI, 인피니온, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220
