정상은 중국에 있는 직업적인 전자 부품 분배자입니다.
우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | AEC-Q101을 가진 40V P 채널 MOSFET,NexFET MOSFET 50A 전류 등급,낮은 Qg SON 패키지 MOSFET |
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CSD25404Q3T 40V P 채널 NexFETTM MOSFET 8.5mΩ RDS ((on) 50A 전류 175°C 등급 낮은 Qg 3.3mm×3.3mm SON 패키지 AEC-Q101 자격 and 할로겐 무료 설계
특징
• 극저 Qg 및 Qgd
• 낮은 열 저항
• LowRDS (동)
• 하로겐 자유
• RoHS 컴플라이언스
• PbFree 터미널 플래팅
• SON3.3mm×3.3mm플라스틱 패키지
신청서
• DC-DCC 변환기
• 배터리 관리
• 로드 스위치
• 배터리 보호
설명
이 20V, 5.5mΩ NexFETTM 전력 MOSFET는 SON 3.3mm × 3로 전력 변환 부하 관리 응용 프로그램에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다.3mm 패키지, 장치 크기에 대한 우수한 열 성능을 제공합니다..
정보
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분류
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Mfr
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시리즈
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포장
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테이프 and 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
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부분 상태
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액티브
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FET 타입
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기술
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소스 전압 (Vdss)
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20V
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전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C
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구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)
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1.8V, 4.5V
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Rds ON (Max) @ Id, Vgs
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6.5mOhm @ 10A, 4.5V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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1.15V @ 250μA
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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14.1 nC @ 4.5 V
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Vgs (최대)
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±12V
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입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
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2120 pF @ 10V
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FET 특징
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-
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전력 분산 (최대)
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2.8W (Ta), 96W (Tc)
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작동 온도
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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등급
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-
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자격
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-
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장착형
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표면 마운트
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공급자의 장치 패키지
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8-VSONP (3x3.3)
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패키지 / 케이스
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기본 제품 번호
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그림
우리의 장점:
모든 종류의 부품에 대한 필요를 충족시키는 것을 확인하십시오.^_^
제품 목록
전자 부품 시리즈를 공급, 반도체, 활성 및 수동 구성 요소의 전체 범위를. 우리는 PCB의 모든 Bom를 얻을 수 있도록 도울 수 있습니다.
제안은 다음을 포함합니다.
통합 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴시터, 레지스터, 바리스터, 피지, 트림러 and 포텐시오미터, 트랜스포머, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록,크리스탈 and 오시레이터, 인듀서, 센서, 트랜스포머, IGBT 드라이버, LED,LCD, 컨버터, PCB (프린트 서킷 보드),PCBA (PCB 어셈블리)
강한 브랜드:
마이크로 칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, 인터 실, 윈 본드, 비샤이, ISSI, 인피니온, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220
