TPS73733DCQ 3.3V 1A 초저잡음(30μVRMS) LDO, 높은 PSRR(75dB), 1% 정확도, 낮은 드롭아웃(310mV), 활성화 핀, 1μF 세라믹으로 안정, TO-263 패키지의 전류/열 보호 기능

TPS73733DCQ 3.3V 1A 초저소음 (30andmu;VRMS) LDO 고 PSRR (75dB) 1% 정확성 낮은 탈락 (310mV) 1andmu;F 세라믹 전류 / 열 보호로 안정된 핀을 활성화합니다. TO-263 패키지에서

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특징

andbull; 1andmu;F 또는 더 큰 세라믹 출력 콘덴서와 안정

andbull; 입력 전압 범위: 2.2V ~ 5.5V

그리고불; 초저전압 및 대시; 레거시 실리콘: 130mV 1A와 대시; 새로운 실리콘: 122mV 1A와 대시

그리고 bull; 우수한 부하 일시 반응 및 mdash;만 1andmu;F 출력 콘덴서

andbull; NMOS 토폴로지는 낮은 역 누출 전류를 제공합니다.

초기의 정확도: 1%

선, 부하, 온도, 그리고 모래에 대한 전체 정확성; 레거시 실리콘: 3%와 모래; 새로운 실리콘: 1.5%

andbull; 종료 모드에서 전형적인 IQ 20nA 미만

andbull; 열 차단 및 오류 보호 전류 제한

andbull; 다중 출력 전압 버전으로 제공됩니다:andndash; 조절 가능한 출력: 1.20V ~ 5.5Vandndash; 공장 패키지 수준의 프로그래밍을 사용하여 사용자 정의 출력

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신청서

DSP, FPGAs 및 MSP 및 마이크로프로세서의 부하점 규제

공급을 변경하기 위한 후속 규제

소동 및 배터리 전동 장비

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설명

TPS737 선형 저하 (LDO) 전압 조절기는 전압 추적기 구성에서 NMOS 패스 트랜지스터를 사용합니다. 이 토폴로지는 출력 콘덴시터 값과 ESR에 상대적으로 민감하지 않습니다.다양한 부하 구성을 허용합니다.. 로드 일시 반응은 작은 1andmu; F 세라믹 출력 콘덴시터에서도 훌륭합니다. NMOS 토폴로지는 또한 매우 낮은 탈락을 허용합니다.

TPS737는 첨단 BiCMOS 프로세스를 사용하여 매우 낮은 탈락 전압과 낮은 지상 핀 전류를 제공하면서 높은 정밀도를 제공합니다.최신 제조 흐름을 사용하는 장치는 최신 TI 프로세스 기술에 새로운 실리콘으로 업데이트 된 디자인을 가지고 있습니다.. 전류 소비는 활성화되지 않은 경우 20nA 미만이며 휴대용 응용 프로그램에 설계되었습니다. 이 장치는 열 종료 및 폴드백 전류 제한으로 보호됩니다.

더 높은 출력 전압 정확도를 필요로 하는 애플리케이션에 대해서는 TIand#39;s TPS7A37 1% 전체 정확도, 1A 저출력 전압 조절기를 고려하십시오.

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정보

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그림

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