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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
|---|---|---|---|
| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | 25V NexFET MOSFET와 AEC-Q101,4.7mΩ MOSFET 40A 펄스,극저 Qg Qgd MOSFET |
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| 기인하다 | 값 |
|---|---|
| 기능 | 승압, 강압 |
| 출력 구성 | 긍정적이든 부정적이든 |
| 토폴로지 | 벅, 부스트 |
| 출력 유형 | 조절할 수 있는 |
| 출력 수 | 1 |
CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET, 40A 펄스 1.5V 최대 VGS(th) AEC-Q101 인증 SON 5x6mm 패키지 할로겐 프리 및 초저 Qg 및 Qgd
노트북 부하 지점
네트워킹, 통신 및 컴퓨팅 시스템의 PoL(Point-of-Load) 동기식 벅
NexFET™ 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션의 손실을 최소화하도록 설계되었으며 5V 게이트 드라이브 애플리케이션에 최적화되었습니다.
| 범주 | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
| 제조업체 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 시리즈 | NexFET™ |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® |
| 부품현황 | 활동적인 |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 87A (Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 4.5V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.1m옴 @ 14A, 10V |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 2V @ 250μA |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 695pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 소비(최대) | 3W(타) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSONP(5x6) |
| 패키지/케이스 | 8-파워TDFN |
| 기본 제품 번호 | CSD17522 |
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다음을 포함한 제안:
집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 배리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록, 수정 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)
강력한 브랜드:
마이크로칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220
