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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
출력 수: | 1 | ||
강조하다: | 25V NexFET MOSFET와 AEC-Q101,4.7mΩ MOSFET 40A 펄스,극저 Qg Qgd MOSFET |
속성 | 값 |
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기능 | 승압, 강압 |
출력 구성 | 양수 또는 음수 |
토폴로지 | 벅, 부스트 |
출력 유형 | 조절 가능 |
출력 수 | 1 |
CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET, 40A 펄스, 1.5V Max VGS(th), AEC-Q101 인증, SON 5x6mm 패키지, 할로겐 프리 및 초저 Qg & Qgd
노트북 부하 지점
네트워킹, 통신 및 컴퓨팅 시스템의 부하 지점 동기식 벅
NexFET™ 전력 MOSFET은 전력 변환 응용 분야에서 손실을 최소화하도록 설계되었으며 5V 게이트 드라이브 응용 분야에 최적화되었습니다.
카테고리 | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
제조사 | Texas Instruments |
시리즈 | NexFET™ |
포장 | 테이프 & 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® |
부품 상태 | 활성 |
FET 유형 | N 채널 |
기술 | MOSFET(금속 산화물) |
소스 전압에 대한 드레인(Vdss) | 30V |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 87A (Tc) |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 14A, 10V |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2V @ 250µA |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
Vgs(최대) | ±20V |
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 695 pF @ 15 V |
FET 기능 | - |
전력 소비(최대) | 3W (Ta) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
등급 | - |
자격 | - |
장착 유형 | 표면 실장 |
공급업체 장치 패키지 | 8-VSONP (5x6) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
기본 제품 번호 | CSD17522 |
모든 종류의 구성 요소에 대한 요구 사항을 충족하십시오.
일련의 전자 부품, 반도체, 능동 및 수동 부품의 전체 범위를 공급합니다. PCB의 BOM에 필요한 모든 것을 얻을 수 있도록 도와드릴 수 있습니다. 한마디로, 여기에서 원스톱 솔루션을 얻을 수 있습니다.
제안 포함:
집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 단자대, 크리스탈 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)
강력한 브랜드:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220