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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | 무제한 내구성을 갖춘 5V FRAM,I2C 인터페이스 FRAM 메모리,낮은 대기 전류 FRAM |
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| 속성 | 가치 |
|---|---|
| 기능 | 위로, 아래로 |
| 출력 구성 | 긍정 또는 부정적 |
| 토폴로지 | 벅, 부스트 |
| 출력 유형 | 조정 가능 |
| 출력 수 | 1 |
FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM 무제한 내구력 150ns 지연 없이 기록 1MHz I2C 인터페이스 10^14 읽기/쓰기 주기가 낮은 50μA 대기 전류 및 40년 데이터 저장
FM24CL04B는 첨단 철전기 프로세스를 사용하는 4Kbit 비휘발성 메모리이다. 철전기 무작위 액세스 메모리 또는 F-RAM은 비휘발성이며 RAM과 유사한 읽기 및 쓰기를 수행한다.이 시스템은 151년 동안 신뢰할 수 있는 데이터 저장 기능을 제공하면서 복잡성을 제거합니다.EEPROM 및 다른 비휘발성 메모리로 인해 발생하는 오버헤드 및 시스템 수준의 신뢰성 문제.
EEPROM과 달리 FM24CL04B는 버스 속도로 기록 작업을 수행합니다. 기록 지연이 발생하지 않습니다.데이터는 매 바이트가 성공적으로 장치로 전송 된 즉시 메모리 배열에 기록됩니다.. 다음 버스 사이클은 데이터 투표의 필요 없이 시작할 수 있습니다. 또한, 제품은 다른 비휘발성 메모리와 비교하여 상당한 기록 내구성을 제공합니다. 또한,F-RAM은 EEPROM보다 쓰기 동안 훨씬 낮은 전력을 나타냅니다. 쓰기 작업은 쓰기 회로에 대한 내부적으로 높은 전원 공급 전압을 필요로하지 않기 때문입니다.. FM24CL04B는 10를 지원할 수 있습니다14읽기/쓰기 주기가 EEPROM보다 1억 배나 더 많습니다.
이러한 기능은 FM24CL04B를 빈번하거나 빠른 기록이 필요한 비휘발성 메모리 애플리케이션에 이상적입니다. 예를 들어 데이터 로깅에서 기록 주기의 수가 중요 할 수 있습니다.,EEPROM의 긴 기록 시간이 데이터 손실을 초래할 수 있는 까다로운 산업 제어에 적용됩니다. 기능의 조합은 시스템에 대한 더 적은 상용 비용으로 더 자주 데이터를 기록 할 수 있습니다.
FM24CL04B는 하드웨어 드롭인 대체로 일련 (I2C) EEPROM의 사용자에게 상당한 이점을 제공합니다.장치 사양은 -40°C ~ +85°C의 산업 온도 범위에서 보장됩니다..
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| 분류 | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| Mfr | 인피니온 테크놀로지 |
| 시리즈 | F-RAMTM |
| 포장 | 튜브 |
| 부분 상태 | 액티브 |
| DigiKey 프로그래밍 가능 | 확인되지 않았습니다. |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | FRAM |
| 기술 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 메모리 크기 | 4Kbit |
| 기억 조직 | 512 x 8 |
| 메모리 인터페이스 | I2C |
| 시계 주파수 | 1MHz |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 접속 시간 | 550 ns |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 기본 제품 번호 | FM24CL04 |
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