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FM24CL64B-GTR 64Kb 직렬 F-RAM, 무제한 내구성, 150ns 무쓰기 지연, 1MHz I2C 인터페이스, 10^14 읽기/쓰기 사이클, 저전력 작동, 3.3V 전원 공급 및 40년 데이터 보존

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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큰 이미지 :  FM24CL64B-GTR 64Kb 직렬 F-RAM, 무제한 내구성, 150ns 무쓰기 지연, 1MHz I2C 인터페이스, 10^14 읽기/쓰기 사이클, 저전력 작동, 3.3V 전원 공급 및 40년 데이터 보존

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Infineon
인증: CE, GCF, ROHS
모델 번호: FM24CL64B-GTR
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: negotiable
포장 세부 사항: 원래 트레이에 먼저 포장 한 다음 상자, 마지막 포장을위한 버블 백에서.
배달 시간: 지불을받은 후 3-5 일
지불 조건: T/T, Western Union,
공급 능력: 한 달에 1000pc
상세 제품 설명
기능: 스텝 업, 스텝 다운 출력 구성: 긍정적이거나 부정적인
토폴로지: 벅, 부스트 출력 유형: 조절할 수 있는
출력 수: 1
강조하다:

I2C 인터페이스를 갖춘 64Kb 직렬 F-RAM

,

FM24CL64B-GTR 저전력 F-RAM

,

40년 보존의 3.3V F-RAM

FM24CL64B-GTR 64Kb 시리즈 F-RAM
주요 특징
  • 8K × 8로 구성된 64kbit 철전기 임의 액세스 메모리 (F-RAM)
  • 고 내구성 100조 (1014) 읽기/쓰기
  • 데이터 보존 기간 151년
  • NoDelayTM가 쓴다
  • 빠른 2선 직렬 인터페이스 (I2C) 최대 1MHz 주파수
  • 낮은 전력 소비: 100μA (형) 액티브 전류
  • 전압 작동: VDD = 2.7V ~ 3.65V
  • 산업 온도 범위: -40°C ~ +85°C
  • 8-핀 SOIC 및 8-핀 DFN 패키지로 제공됩니다.
  • RoHS 준수
제품 속성
속성 가치
기능 위로, 아래로
출력 구성 긍정 또는 부정적
토폴로지 벅, 부스트
출력 유형 조정 가능
출력 수 1
제품 설명

FM24CL64B는 첨단 철전기 프로세스를 사용하는 64Kbit 비휘발성 메모리이다. 철전기 무작위 액세스 메모리 또는 F-RAM은 비휘발성이며 RAM과 유사한 읽기 및 쓰기를 수행한다.이 시스템은 151년 동안 신뢰할 수 있는 데이터 저장 기능을 제공하면서 복잡성을 제거합니다.EEPROM 및 다른 비휘발성 메모리로 인해 발생하는 오버헤드 및 시스템 수준의 신뢰성 문제.

EEPROM과 달리 FM24CL64B는 버스 속도에서 기록 작업을 수행합니다. 기록 지연이 발생하지 않습니다.데이터는 매 바이트가 성공적으로 장치로 전송 된 즉시 메모리 배열에 기록됩니다.다음 버스 사이클은 데이터 투표의 필요없이 시작 될 수 있습니다.

기술 사양
메모리 타입 비휘발성
메모리 형식 FRAM
기술 FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기 64Kbit
기억 조직 8K x 8
메모리 인터페이스 I2C
시계 주파수 1MHz
접속 시간 550 ns
전압 - 공급 2.7V ~ 3.65V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비)
제품 도면
FM24CL64B-GTR 64Kb 직렬 F-RAM, 무제한 내구성, 150ns 무쓰기 지연, 1MHz I2C 인터페이스, 10^14 읽기/쓰기 사이클, 저전력 작동, 3.3V 전원 공급 및 40년 데이터 보존 0
우리 의 장점
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제품 카테고리

우리는 다음과 같은 전자 부품의 전체 범위를 공급합니다.

  • 융합 회로
  • 메모리 IC
  • 다이오드, 트랜지스터
  • 콘덴시터, 저항기
  • 커넥터, 스위치
  • 그리고 더 많은 구성 요소
우리 가 가지고 다니는 브랜드
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