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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | 듀얼 N+P 채널 MOSFET 20V SOIC-8,로직 레벨 고속 스위칭 전력 MOSFET,고효율 전원관리 IC |
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| 기능 | 승압, 강압 |
| 출력 구성 | 긍정적이든 부정적이든 |
| 토폴로지 | 벅, 부스트 |
| 출력 유형 | 조절할 수 있는 |
| 출력 수 | 1 |
이 HEXFET® 전력 MOSFET은 SOIC-8 패키지에 ±5.3A 정격 전류 및 20V 전압을 갖춘 듀얼 N+P 채널 구성이 특징입니다. 초저 0.045Ω Rds(on) 및 1.8V 로직 레벨을 통해 공간을 절약하면서 전력 관리 애플리케이션에 빠른 스위칭과 높은 효율성을 제공합니다.
| 범주 | 개별 반도체 제품>트랜지스터>FET, MOSFET |
| 제조업체 | 인피니언 테크놀로지스 |
| 시리즈 | HEXFET® |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® |
| 부품현황 | 더 이상 사용되지 않음 |
| FET 유형 | P채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 12V |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 11.5A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 11.5A, 4.5V |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 250μA에서 900mV |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
| Vgs(최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 3529pF @ 10V |
| 전력 소비(최대) | 2.5W(타) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) |
| 기본 제품 번호 | IRF7420 |
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