정상은 중국에 있는 직업적인 전자 부품 분배자입니다.
우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | 190A 전력 MOSFET 100V,초저 Rds(on) TO-264 MOSFET,고전력 밀도 전력 MOSFET |
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IRFI4019HG-117P 190A 전력 MOSFET 100V 초저 Rds(on) 1.9mΩ TO-264 고효율 견고한 성능 우수한 열 관리 및 까다로운 응용 분야를 위한 고전력 밀도
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특징
통합 하프 브리지 패키지
부품 수를 절반으로 줄임
더 나은 PCB 레이아웃 용이
Class-D 오디오 앰프 응용 분야에 최적화된 주요 매개변수
향상된 효율성을 위한 낮은 RDS(ON)
더 나은 THD 및 향상된 효율성을 위한 낮은 Qg 및 Qsw
더 나은 THD 및 낮은 EMI를 위한 낮은 Qrr
하프 브리지 구성 앰프에서 채널당 최대 200W를 8Ω 부하로 전달 가능
무연 패키지
할로겐 프리
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응용 분야
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설명
이 디지털 오디오 MosFET 하프 브리지는 Class D 오디오 앰프 응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다. 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 전력 MosFET 스위치로 구성됩니다. 최신 공정을 사용하여 실리콘 면적당 낮은 온 저항을 달성합니다. 또한 게이트 전하, 바디 다이오드 역 회복 및 내부 게이트 저항을 최적화하여 효율, THD 및 EMI와 같은 주요 Class D 오디오 앰프 성능 요소를 개선합니다. 이러한 요소들이 결합되어 이 하프 브리지를 Class D 오디오 앰프 응용 분야에 매우 효율적이고 견고하며 신뢰할 수 있는 장치로 만듭니다.
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정보
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카테고리
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제조업체
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Infineon Technologies
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시리즈
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포장
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튜브
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부품 상태
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단종
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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구성
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2 N 채널 (듀얼)
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FET 기능
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소스 전압(Vdss)에 대한 드레인
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150V
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전류 - 연속 드레인(Id) @ 25℃
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8.7A
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Rds On (최대) @ Id, Vgs
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95mOhm @ 5.2A, 10V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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4.9V @ 50μA
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게이트 전하(Qg) (최대) @ Vgs
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20nC @ 10V
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입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds
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810pF @ 25V
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전력 - 최대
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18W
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작동 온도
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-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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장착 유형
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스루 홀
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패키지 / 케이스
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TO-220-5 풀 팩, 성형 리드
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공급업체 장치 패키지
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TO-220-5 풀 팩
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기본 제품 번호
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도면
당사의 장점:
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모든 종류의 구성 요소에 대한 요구 사항을 충족하십시오.^_^
제품 목록
일련의 전자 부품, 반도체 전체 범위, 능동 및 수동 구성 요소를 공급합니다. PCB의 BOM을 모두 얻을 수 있도록 도와드릴 수 있습니다. 한마디로, 여기에서 원스톱 솔루션을 얻을 수 있습니다.
제안 포함:
집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록, 크리스탈 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)
강력한 브랜드:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220
