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IRFB260NPBF N 채널 MOSFET 200V 46A 초저 19mΩ Rds(on) TO-220 패키지 로직 레벨 고속 스위칭 고강도 애벌런치 정격 모터 및 전력 변환용

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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큰 이미지 :  IRFB260NPBF N 채널 MOSFET 200V 46A 초저 19mΩ Rds(on) TO-220 패키지 로직 레벨 고속 스위칭 고강도 애벌런치 정격 모터 및 전력 변환용

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Infineon
인증: CE, GCF, ROHS
모델 번호: IRFB260NPBF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: negotiable
포장 세부 사항: 원래 트레이에 먼저 포장 한 다음 상자, 마지막 포장을위한 버블 백에서.
배달 시간: 지불을받은 후 3-5 일
지불 조건: T/T, Western Union,
공급 능력: 한 달에 1000pc
상세 제품 설명
기능: 스텝 업, 스텝 다운 출력 구성: 긍정적이거나 부정적인
토폴로지: 벅, 부스트 출력 유형: 조절할 수 있는
출력 수: 1
강조하다:

N-Channel MOSFET 200V 46A TO-220

,

Logic Level MOSFET Fast Switching

,

Avalanche Rated MOSFET for Motor

IRFB260NPBF N 채널 MOSFET 200V 46A 초저 19mandOmega; Rds(on) TO-220 패키지 로직 레벨 고속 스위칭 고강도 애벌런치 정격 모터 및 전력 변환용

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특징

1: 고전압 기능: 드레인-소스 전압(Vds) 200V, 스위치 모드 전원 공급 장치(AC 정류 후, 예: 85-265VAC), 모터 드라이브 및 제어 시스템과 같은 고전압 응용 분야에 적합합니다.

2: 고전류 처리

: 46A의 연속 드레인 전류(Id @ 25anddeg;C)로 고전류를 처리하고 강력한 전력 처리 기능을 제공할 수 있습니다.3: 극저 전도 손실

: 최대 드레인-소스 온 상태 저항(Rds(on) @ Vgs=10V)

19mandOmega;. 이는 낮은 Rds(on)이 전도 중 전력 손실 및 열 발생을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시키기 때문에 가장 중요한 장점 중 하나입니다.4: 로직 레벨 드라이브: 표준 드라이브 전압

10V (일부 특성은 4V Vgs에서 제공됨)로 마이크로컨트롤러(MCU), DSP 또는 로직 회로 출력(일반적으로 5V, 10V, 12V)에 의해 직접 또는 간단한 드라이버 회로를 통해 구동될 수 있음을 나타내 설계가 간소화됩니다.4V @ 250andmicro;A: 낮은 게이트 전하(Qg) 및 빠른 스위칭 속도와 같은 우수한 스위칭 특성은 스위칭 손실을 줄여 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS)와 같은 고주파 응용 분야에 특히 적합합니다.

6: 높은 견고성과 신뢰성

:애벌런치 정격

:

andnbsp; 애벌런치 에너지를 견딜 수 있어 턴오프 중 유도 부하로 인해 발생하는 극심한 전압 스파이크에 덜 손상되어 높은 신뢰성을 보장합니다.andnbsp; 성숙한

TO-220FN 패키지는 우수한 기계적 강도를 제공하고 방열판을 사용하여 효율적인 열 관리를 용이하게 합니다.

7: 친환경 포장

: 이 제품은 RoHS 표준을 준수하며 납과 같은 유해 물질이 없습니다.응용 분야고주파 DC-DC 컨버터

무연설명

andnbsp;

1: 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 특히 역률 보정(PFC) 및 DC-DC 컨버터

2: 모터 드라이브 및 제어 시스템(예: 산업용 모터, 드론 ESC)

3: 고전력 DC-AC 인버터(예: 태양광 인버터)

andnbsp;

4: 고전류 스위칭 및 부하 스위칭

정보

카테고리

개별 반도체 제품

트랜지스터

andnbsp;

andnbsp;

FET, MOSFET

단일 FET, MOSFET
포장
부품 상태
FET 유형
N 채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인-소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25anddeg;C
드라이브 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs(th) (최대) @ Id
4V @ 250andmicro;A
게이트 전하(Qg) (최대) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (최대)
andplusmn;20V
입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds
4220 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 소모(최대)
380W (Tc)
작동 온도
TO-220AB
등급
-
자격
-
장착 유형
TO-220AB
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IRFB260
도면
휴대폰, PDA, 노트북 컴퓨터

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제안에는 다음이 포함됩니다.집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 단자대, 크리스탈 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)


강력한 브랜드:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등






연락처 세부 사항
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

담당자: Mrs. Natasha

전화 번호: 86-13723770752

팩스: 86-755-82815220

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