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IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET, 초저 4.5mΩ Rds(on) TO-220 패키지, 로직 레벨 드라이브, 애벌런치 정격, 고속 스위칭, 고효율, 모터 제어 및 전력 시스템용 견고한 설계

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Infineon
인증: CE, GCF, ROHS
모델 번호: IRFB4227PBF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: negotiable
포장 세부 사항: 원래 트레이에 먼저 포장 한 다음 상자, 마지막 포장을위한 버블 백에서.
배달 시간: 지불을받은 후 3-5 일
지불 조건: T/T, Western Union,
공급 능력: 한 달에 1000pc
상세 제품 설명
기능: 스텝 업, 스텝 다운 출력 구성: 긍정적이거나 부정적인
토폴로지: 벅, 부스트 출력 유형: 조절할 수 있는
출력 수: 1
강조하다:

200V 195A MOSFET TO-220 package

,

logic-level drive MOSFET motor control

,

ultra-low Rds(on) fast switching MOSFET

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET, 초저 4.5mandOmega; Rds(on) TO-220 패키지, 로직 레벨 드라이브, 애벌런치 정격, 고속 스위칭, 고효율, 견고한 설계, 모터 제어 및 전원 시스템용

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특징

첨단 공정 기술

PDP 유지, 에너지 회수 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화된 주요 매개변수

PDP 유지, 에너지 회수 및 패스 스위치 애플리케이션에서 전력 손실을 줄이기 위한 낮은 EPULSE 정격

빠른 응답을 위한 낮은 QG

안정적인 작동을 위한 높은 반복 피크 전류 용량

빠른 스위칭을 위한 짧은 Fall and Rise 시간

견고성 향상을 위한 175anddeg;C 작동 접합 온도

견고성과 신뢰성을 위한 반복 애벌런치 기능

Class-D 오디오 앰프 300W-500W (하프 브리지)

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응용 분야

1: 모터 구동 및 제어정보

이것이 가장 일반적인 응용 시나리오입니다. 높은 전압(200V), 매우 높은 전류(195A) 및 초저 온 저항(4.5mandOmega;)은 고출력 DC 모터, 브러시리스 DC 모터(BLDC) 및 서보 모터를 구동하고 제어하는 데 매우 효율적입니다. 산업 자동화, 로봇 공학, 전기 자동차(예: 모터 컨트롤러), 드론 ESC(전자 속도 컨트롤러) 등에 널리 사용됩니다.2: 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS):

특히 고전류 출력 DC-DC 컨버터, 동기 정류 및 역률 보정(PFC) 회로에 적합합니다. 낮은 Rds(on)은 전도 손실을 크게 줄여 전반적인 전원 공급 장치 효율을 향상시킵니다.정보
:DC 전력을 AC 전력으로 변환하는 태양광 발전 인버터, UPS(무정전 전원 공급 장치), 주파수 변환기 및 용접기에 이상적인 선택입니다.4: 고전류 스위칭 및 부하 스위칭

:정보
설명

이 HEXFETandreg; 전력 MOSFET는 플라즈마 디스플레이 패널의 유지, 에너지 회수 및 패스 스위치andnbsp;응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다. 이 MOSFET는 최신 처리 기술을 사용하여andnbsp;실리콘 면적당 낮은 온 저항과 낮은 EpuLsE 정격을 달성합니다. 이 MOSFET의 추가 기능은 175anddeg;Candnbsp;작동 접합 온도와 높은 반복 피크 전류 용량입니다. 이러한 기능이 결합되어andnbsp;이 MOSFET는 PDP 구동 응용 분야에 매우 효율적이고 견고하며 신뢰할 수 있는 장치가 됩니다.정보
카테고리

andnbsp;

개별 반도체 제품

트랜지스터

andnbsp;

FET, MOSFET

단일 FET, MOSFET
포장
부품 상태
FET 유형
N 채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압(Vdss)에 대한 드레인
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25anddeg;C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs(th) (최대) @ Id
5V @ 250andmicro;A
게이트 전하(Qg) (최대) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (최대)
andplusmn;30V
입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
330W (Tc)
작동 온도
TO-220AB
등급
-
자격
-
장착 유형
TO-220AB
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IRFB4227
도면
휴대폰, PDA, 노트북 컴퓨터

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제안 포함:집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 및 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 단자대, 크리스탈 및 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 어셈블리)


강력한 브랜드:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등






연락처 세부 사항
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

담당자: Mrs. Natasha

전화 번호: 86-13723770752

팩스: 86-755-82815220

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