FM25CL64B-GTR 64Kb 20MHz SPI 노-디레이 기록 10^14 내구성 151년 데이터 보존 2.0-3.6V 동작 -40°C ~ +85°C 소형 SOIC 패키지

FM25CL64B-GTR 64Kb 20MHz SPI 노-디레이 기록 10^14 내구성 151년 데이터 보존 2.0-3.6V 동작 -40°C ~ +85°C 소형 SOIC 패키지

특징

■ 8K × 8로 논리적으로 조직된 64Kbit ferroelectric 무작위 액세스 메모리 (F-RAM)

고 내구성 100조 (1014) 읽기/쓰기

데이터 보존 (151년) (데이터 보존 및 지속성 12페이지 참조)

NoDelayTM가 작성했습니다.

고 신뢰성 있는 첨단 철전기 공정

■ 매우 빠른 일련 주변 인터페이스 (SPI)

20MHz까지의 주파수

직렬 플래시 및 EEPROM을 위한 하드웨어 교체

SPI 모드 0 (0, 0) 와 모드 3 (1, 1) 를 지원합니다.

■ 복잡 한 기록 보호 제도

기록 보호 (WP) 핀을 사용하여 하드웨어 보호

️ Write Disable 명령어를 사용하여 소프트웨어 보호

1⁄4, 1/2 또는 전체 배열에 대한 소프트웨어 블록 보호

■ 낮은 전력 소비

1MHz에서 200A의 활성 전류

3A (유형) 대기 전류

■ 저전압 작동: VDD = 2.7V ~ 3.65V

■ 산업 온도: 40°C ~ +85°C

■ 패키지

8핀 소형 통합 회로 (SOIC) 패키지

8핀 얇은 겹 평면 무전도 (DFN) 패키지

■ 위험물질 제한 (RoHS)

신청서

1산업 자동화 및 제어 시스템

예제: PLC (프로그램 가능한 논리 컨트롤러), 스마트 센서, 모터 드라이브, 산업용 로봇.

왜 그럴까요?: 이러한 시스템은 지속적으로 신속히 운영 매개 변수, 이벤트 로그, 고장 데이터 또는 생산 수를 기록해야합니다.지연 없는 기록은 중요한 데이터가 전력 손실 시점에서도 완전히 저장되도록 합니다., 기록 지연으로 인한 데이터 손실을 방지합니다.

2자동차 전자제품

예제: ADAS에서 이벤트 데이터 레코더 (EDR), 자동차 블랙 박스, 도구 클러스터, 몸 제어 모듈.

왜 그럴까요?: 사고 또는 갑작스러운 전력 손실 시 대량의 센서 데이터의 즉각적인 로깅을 요구합니다. F-RAM의 빠른 기록 특성은 이상적입니다.높은 내구성 또한 마일리지 또는 문을 열 / 닫는 카운트와 같은 자주 업데이트 된 데이터에 적합합니다.

3의료 장비

예제: 휴대용 의료 모니터 (예: 포도당 측정기, 심박수 측정기), 이식 가능한 장치, 진단 장비.

왜 그럴까요?: 장비는 환자 데이터, 사용 로그 및 캘리브레이션 정보를 안정적으로 기록해야 합니다.F-RAM의 낮은 전력 소비와 높은 신뢰성은 데이터 보안과 장기적인 안정적인 운영에 중요합니다..

4스마트 미터링 및 측정 시스템

예제: 스마트 전력계, 물계, 가스계

왜 그럴까요?: 누적 사용 데이터를 몇 초마다 업데이트하고 전력 손실 전에 최종 값을 즉시 저장해야합니다.매일 자주 쓰면 EEPROM에 큰 도전이지만 F-RAM에는 문제가 되지 않습니다..

5데이터 로거

예제: 환경 모니터링 (온도, 습도, 압력 기록기), GPS 추적기.

왜 그럴까요?: 이러한 응용 프로그램은 높은 주파수에서 데이터 스트림을 지속적으로 기록해야합니다.F-RAM의 높은 기록 속도와 무한한 내구성은 EEPROM에 내재된 기록 지연으로 인한 데이터 손실이나 병목의 위험없이 원활한 데이터 로깅을 허용합니다..

6고급 소비자 전자제품

예제: 전문 오디오 장비, 스마트 홈 허브, 게임 주변 장치.

왜 그럴까요?: 사용자 설정, 게임 상태 또는 실시간 센서 데이터의 빠른 저장이 필요할 때, F-RAM은 EEPROM보다 부드럽고 신뢰할 수있는 경험을 제공합니다.

설명

FM25CL64B는 첨단 철전기 프로세스를 사용하는 64Kbit 비휘발성 메모리이다. 철전기 무작위 액세스 메모리 또는 F-RAM은 비휘발성이며 RAM과 유사한 읽기 및 쓰기를 수행한다.이 시스템은 151년 동안 신뢰할 수 있는 데이터 저장 기능을 제공하면서 복잡성을 제거합니다., 오버헤드 및 일련 플래시, EEPROM 및 기타 비휘발성 메모리로 인한 시스템 수준의 신뢰성 문제.

일련 플래시와 EEPROM과는 달리 FM25CL64B는 버스 속도로 기록 작업을 수행합니다. 기록 지연이 발생하지 않습니다.데이터는 매 바이트가 성공적으로 장치로 전송 된 즉시 메모리 배열에 기록됩니다.다음 버스 사이클은 데이터 투표의 필요 없이 시작할 수 있습니다. 또한, 제품은 다른 비휘발성 메모리와 비교하여 상당한 기록 내구성을 제공합니다.FM25CL64B는 1014 읽기 / 쓰기 주기를 지원 할 수 있습니다., 또는 EEPROM보다 1억 배 더 많은 기록 주기를 기록합니다.

이러한 기능은 FM25CL64B를 빈번하거나 빠른 기록이 필요한 비휘발성 메모리 애플리케이션에 이상적으로 만듭니다.적기 주기의 수가 중요할 수 있는 경우, 시리얼 플래시 또는 EEPROM의 긴 기록 시간이 데이터 손실을 일으킬 수있는 까다로운 산업 제어.

FM25CL64B는 하드웨어 드롭 인 대체로 일련 EEPROM 또는 플래시의 사용자에게 상당한 이점을 제공합니다. FM25CL64B는 고속 SPI 버스를 사용합니다.이는 F-RAM 기술의 고속 기록 능력을 향상시킵니다.장치 사양은 40 °C에서 + 85 °C의 산업 온도 범위에서 보장됩니다.

정보

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