정상은 중국에 있는 직업적인 전자 부품 분배자입니다.
우리는 PCB Bom를 위한 커뮤니케이션 단위, 안테나, PCB, PCBA 및 모든 성분에서 원스톱 해결책 서비스를, 제안합니다.
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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 기능: | 스텝 업, 스텝 다운 | 출력 구성: | 긍정적이거나 부정적인 |
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| 토폴로지: | 벅, 부스트 | 출력 유형: | 조절할 수 있는 |
| 출력 수: | 1 | ||
| 강조하다: | 초저 0.0015Ω 전력 MOSFET,AEC-Q101 애벌런치 정격 MOSFET,할로겐 프리 로직 레벨 MOSFET |
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듀얼 PQFN의 초저 0.0015andOmega; 전력 MOSFET, 애벌런치 정격 AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V 로직 레벨 및 고효율 전력 변환을 위한 할로겐 프리
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특징
초저 게이트 임피던스
완전 특성화된 애벌런치 전압 및 전류
20V VGS 최대 게이트 정격
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응용 분야
절연 DC-DC 컨버터용 동기 정류기 MOSFET
저전력 모터 드라이브 시스템
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설명
IRF7351TRPBF는 Infineon Technologies의 고성능 듀얼 N 채널 MOSFET으로, 소형 PQFN 5x6 mm 패키지에 통합되어 있습니다. 고효율 및 고전력 밀도를 요구하는 동기식 벅 컨버터 및 기타 전력 관리 응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다.
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정보
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카테고리
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제조업체
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Infineon Technologies
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시리즈
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포장
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테이프 and 릴 (TR)
컷 테이프 (CT)
Digi-Reelandreg;
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부품 상태
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활성
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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구성
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2 N 채널 (듀얼)
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FET 특징
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로직 레벨 게이트
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드레인-소스 전압 (Vdss)
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60V
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전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25anddeg;C
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8A
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Rds On (최대) @ Id, Vgs
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17.8mOhm @ 8A, 10V
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Vgs(th) (최대) @ Id
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4V @ 50andmicro;A
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게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
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36nC @ 10V
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
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1330pF @ 30V
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전력 - 최대
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2W
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작동 온도
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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장착 유형
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표면 장착
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패키지 / 케이스
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8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비)
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공급업체 장치 패키지
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8-SO
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기본 제품 번호
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도면
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당사의 장점:휴대폰, PDA, 노트북 컴퓨터
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모든 종류의 부품에 대한 요구 사항을 충족하십시오.^_^
제품 목록
일련의 전자 부품, 반도체, 능동 및 수동 부품의 전체 범위를 공급합니다. PCB의 BOM을 얻을 수 있도록 도와드릴 수 있습니다. 한마디로, 여기에서 원스톱 솔루션을 얻을 수 있습니다.
제공 사항:
집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 바리스터, 퓨즈, 트리머 and 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록, 크리스탈 and 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 드라이버, LED, LCD, 컨버터, PCB (인쇄 회로 기판), PCBA (PCB 어셈블리)
강력한 브랜드:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
담당자: Mrs. Natasha
전화 번호: 86-13723770752
팩스: 86-755-82815220