MMBT5551LT1G 고전압 NPN 트랜지스터
특징
- 고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항이 필요한 자동차 및 기타 애플리케이션의 S 및 NSV 접두사; AEC−Q101 인증 및 PPAP 가능
- 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS를 준수합니다.
응용
- 신호 증폭: 오디오 프리앰프, 센서 인터페이스 및 기타 소신호 증폭 단계에 사용됩니다.
- 스위칭 회로: 전력 관리 시스템 및 로직 인터페이스의 릴레이, 솔레노이드, LED 및 기타 부하를 구동하는 데 이상적입니다.
- 전원 관리: 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), DC-DC 변환기 및 전압 조정기에 사용됩니다.
- 드라이버 스테이지: 고전류 장치를 제어하기 위해 마이크로컨트롤러 또는 IC의 신호를 버퍼링하는 데 사용됩니다.
- 범용 용도: 가전제품, 산업 제어 시스템, 자동차 모듈 및 통신 장비를 위한 신뢰할 수 있는 구성 요소입니다.
설명
MMBT5551LT1G는 공간 절약형 SOT-23 표면 실장 패키지에 들어 있는 고전압 범용 NPN 양극 접합 트랜지스터(BJT)입니다. 이 제품은 고전압 성능과 상당한 전류 정격을 결합하여 광범위한 전자 회로에서 강력한 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 높은 DC 전류 이득, 낮은 포화 전압 및 빠른 스위칭 속도가 특징입니다. 무할로겐 및 무연 재료로 제조되었으며 RoHS 및 기타 환경 표준을 완벽하게 준수하므로 현대 전자 제품을 위한 신뢰할 수 있고 환경 친화적인 선택입니다.
명세서
| 범주 |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일 양극 트랜지스터 |
| 제조업체 |
온세미 |
| 포장 |
테이프 및 앰프; 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® |
| 부품현황 |
활동적인 |
| 트랜지스터 유형 |
NPN |
| 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) |
600mA |
| 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) |
160V |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic |
200mV @ 5mA, 50mA |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대) |
100nA |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
| 전력 - 최대 |
225mW |
| 작동 온도 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 |
표면 실장 |
| 패키지/케이스 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 |
SOT-23-3(TO-236) |
| 기본 제품 번호 |
MMBT5551 |
그림
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제품 목록
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집적 회로, 메모리 IC, 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항기, 배리스터, 퓨즈, 트리머 및 앰프; 전위차계, 변압기, 배터리, 케이블, 릴레이, 스위치, 커넥터, 터미널 블록, 크리스탈 및 앰프; 발진기, 인덕터, 센서, 변압기, IGBT 구동기, LED, LCD, 변환기, PCB(인쇄 회로 기판), PCBA(PCB 조립)
강력한 브랜드:
마이크로칩, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK 등
