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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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집적 회로 부품

중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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집적 회로 부품

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중국 BLM31PG601SN1L 600Ω 페라이트 비드 1206 사이즈 3A 정격 전류 고 임피던스@100MHz AEC-Q200 -55°C ~ +125°C 공장

BLM31PG601SN1L 600Ω 페라이트 비드 1206 사이즈 3A 정격 전류 고 임피던스@100MHz AEC-Q200 -55°C ~ +125°C

BLM31PG601SN1L 설명 1.1 특정 용도: • 전력 장비: 재생 에너지 장비와 같은 전력 장비에 사용할 수 있는 제품,에너지 저장장치 및 EV 충전장치, 그 기능이 인명 및 재산 보호와 직접적으로 관련이 없는. • 산업용 장비: 산업용 장비에 사용될 수 있는 ... 자세히보기
2025-06-20 09:54:36
중국 BLM15AG221SN1D 220Ω 페라이트 비드 0402 (1005 Metric) 1A 정격 전류, 고 임피던스@100MHz, 넓은 온도 범위 -55°C ~ +125°C AEC-Q200 공장

BLM15AG221SN1D 220Ω 페라이트 비드 0402 (1005 Metric) 1A 정격 전류, 고 임피던스@100MHz, 넓은 온도 범위 -55°C ~ +125°C AEC-Q200

BLM15AG221SN1D 설명 1.1 특정 응용 분야: • 전력 장비: 신재생 에너지 장비, 에너지 저장 장비, EV 충전 장비 등과 같이 전력 장비에 사용될 수 있으며, 인명과 재산 보호와 직접적인 관련이 없는 제품. • 산업 장비: 기지국, 제조 장비, 산업용 로... 자세히보기
2025-06-20 09:54:36
중국 IR2110PBF 통합 회로 600V 고저도 드라이버 2A 최고 전류 10V-20V 논리 500ns 상승 시간 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) -40°C ~ +125°C 공장

IR2110PBF 통합 회로 600V 고저도 드라이버 2A 최고 전류 10V-20V 논리 500ns 상승 시간 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) -40°C ~ +125°C

IR2110PBF 특징 • 부트스트랩 작동을 위해 설계된 플로팅 채널 +500V 또는 +600V까지 완벽하게 작동하며, 음의 과도 전압에 내성이 있으며 dV/dt에 면역 • 게이트 드라이브 공급 범위 10~20V • 두 채널 모두에 대한 저전압 록아웃 • 3.3V 로직 ... 자세히보기
2025-06-20 09:54:35
중국 FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 내구성 151년 보존 NoDelay 쓰기 3.6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C 공장

FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 내구성 151년 보존 NoDelay 쓰기 3.6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR 특징 • 64-Kbit 강유전체 램덤 액세스 메모리(F-RAM), 8K × 8로 논리적으로 구성 • 높은 내구성: 100조(1014) 읽기/쓰기 • 151년 데이터 보존 (페이지 10의 데이터 보존 및 내구성 참조) • NoDelay™ 쓰기 • ... 자세히보기
2025-06-20 09:54:35
중국 DAC5578SPWR 8-Ch 8-비트 DAC I2C 인터페이스 2.7-5.5V, 저전력 0.4mA, ±1LSB INL TSSOP-16 -40°C ~ +105°C 공장

DAC5578SPWR 8-Ch 8-비트 DAC I2C 인터페이스 2.7-5.5V, 저전력 0.4mA, ±1LSB INL TSSOP-16 -40°C ~ +105°C

DAC5578SPWR 특징 • 상대 정확도: 23– DAC5578 (8비트): 0.25LSB INL– DAC6578 (10비트): 0.5LSB INL– DAC7578 (12비트): 1LSB INL • 글리치 에너지: 0.15nV-s • 전원 켜짐 재설정(POR)을 0 ... 자세히보기
2025-06-20 09:54:35
중국 BQ294701DSGR 2셀 리튬 이온 보호기 1.5μA 초저 IQ ±25mV 정확도 2.5V-5.5V 패키지/케이스 8-WFDFN 노출 패드 -40°C ~ +85°C 공장

BQ294701DSGR 2셀 리튬 이온 보호기 1.5μA 초저 IQ ±25mV 정확도 2.5V-5.5V 패키지/케이스 8-WFDFN 노출 패드 -40°C ~ +85°C

BQ294701DSGR 특징 • 2, 3, 및 4 시리즈 셀 과전압 보호 • 외부 커패시터 프로그래밍 지연 타이머 • 공장 프로그래밍 OVP 임계값 (임계값 범위 3.85V ~ 4.6V) • 출력 옵션: 액티브 하이 또는 오픈 드레인 액티브 로우 • 고정밀 과전압 보호... 자세히보기
2025-06-20 09:54:35
중국 IC 칩 BOM 부품 새 & 오리지널 2N7002P 통합 회로 공장

IC 칩 BOM 부품 새 & 오리지널 2N7002P 통합 회로

2N7002P 의2N7002PN-채널 증강 모드 필드 효과 트랜지스터 (MOSFET) 로 널리 사용되고 있으며, 저전압, 저전력 전자 회로에서 다재다능성으로 유명합니다.그것은 2N7000 시리즈의 MOSFET에 속합니다., 이는 소비자 전자제품, 자동차 시스템 및 임베... 자세히보기
2025-06-12 14:58:00
중국 1N4148WS 새롭고 원본 전자 부품 통합 회로 칩 제조 업체 공장

1N4148WS 새롭고 원본 전자 부품 통합 회로 칩 제조 업체

1N4148WS 특징 •일반용 다이오드 •빠른 스위치 장치 (TRR < 4.0 ns) •매우 작고 얇은 SMD 패키지 •습기 수준 민감도 1 •매트 틴 (Sn) 납 마무리 •녹색 곰팡이 화합물 포장 테이프 & 릴 (TR) 절단 테이프 (CT) 디지 릴 부분 상태 액티브 ... 자세히보기
2025-06-12 14:58:00
중국 TPS76833QPWPR 3.3V LDO 조절기 1A 출력 저출력 높은 PSRR 열 보호 소형 TSSOP-20 패키지 휴대용 및 IoT 장치에 이상적입니다 공장

TPS76833QPWPR 3.3V LDO 조절기 1A 출력 저출력 높은 PSRR 열 보호 소형 TSSOP-20 패키지 휴대용 및 IoT 장치에 이상적입니다

TPS76833QPWPR 특징입력 전압 범위: 2.7V ~ 10V 저출력 전압: 1A (TPS76850) 에서 전형적인 230mV고정 출력 버전의 특정 조건에 대한 2% 허용열수출력 좋은 극저 85μA 전형적인 평온 전류 1.5-V에서 사용할 수 있습니다.1.8V,2... 자세히보기
2025-06-12 14:58:00
중국 TPS62290TDRVRQ1 6 WDFN 전력 관리 (PMIC) 노출 패드 전자 회로 부품 재고 있음 공장

TPS62290TDRVRQ1 6 WDFN 전력 관리 (PMIC) 노출 패드 전자 회로 부품 재고 있음

TPS62290TDRVRQ1 1 특징 1 • 자동차용 용도로 적합합니다. • 고효율 단계 다운 변환기. • 출력 전류 최대 1000 mA. • VIN 범위 2.3 V에서 6 V.25MHz 고정 주파수 동작 • 가벼운 부하 전류에서 전력 절약 모드 • PWM 모드에서 출... 자세히보기
2025-06-12 14:58:00
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