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DS9093A 직접 회로는 격언 I 단추 DS1990A-F5 홀더를 분해합니다

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NXP MCU 팔 섬광 32KB 직접 회로는 산업을 위해 분해합니다

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중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
중국 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 인증
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중국 TLV6001IDBVR 1.8V ~ 5.5V 레일-레일 오프 앰프 저전력 10μA 1kHz GBW 마이크로 SOT-23 패키지 배터리 전동 센서 및 휴대용 장치 대리점
TLV6001IDBVR 1.8V ~ 5.5V 레일-레일 오프 앰프 저전력 10μA 1kHz GBW 마이크로 SOT-23 패키지 배터리 전동 센서 및 휴대용 장치

집적 회로 부품

(533)
중국 TPA3128D2DAPR 30W Stereo Class-D Amp High Efficiency Low EMI Advanced Protection Wide Voltage Support Compact Design Premium Audio Quality Easy Integration 공장

TPA3128D2DAPR 30W Stereo Class-D Amp High Efficiency Low EMI Advanced Protection Wide Voltage Support Compact Design Premium Audio Quality Easy Integration
접촉

TPA3128D2DAPR 30W 스테레오 Class-D 앰프 고효율 저 EMI 고급 보호 광범위한 전압 지원 소형 설계 프리미엄 오디오 품질 쉬운 통합 andnbsp; 특징andnbsp; andbull; 여러 출력 구성 지원 andnbsp; andndash; ... 자세히보기
2025-12-16 13:14:19
중국 TLV2374IDR Quad RRIO Op Amp with 3MHz GBW 2.4V/µs Slew Rate 2.7-16V Supply Low Noise (19nV/√Hz) Low IQ (950µA/ch) High Drive SOIC-14 -40°C to 125°C for Precision Applications 공장

TLV2374IDR Quad RRIO Op Amp with 3MHz GBW 2.4V/µs Slew Rate 2.7-16V Supply Low Noise (19nV/√Hz) Low IQ (950µA/ch) High Drive SOIC-14 -40°C to 125°C for Precision Applications
접촉

TLV2374IDR 3MHz GBW 2.4V/andmicro;s Slew Rate 2.7-16V의 쿼드 RRIO Op Amp 낮은 소음 (19nV/andradic;Hz) 낮은 IQ (950andmicro;A/ch) 높은 드라이브 SOIC-14-40anddeg;C에서 ... 자세히보기
2025-12-16 13:14:19
중국 TLP350H(F) High-Speed 1.0A IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler with 0.5µs Max Delay 50kV/µs CMR -40°C to 110°C Range 5V to 30V Supply SO6 Package and Under Voltage Lockout (UVLO) Protection 공장

TLP350H(F) High-Speed 1.0A IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler with 0.5µs Max Delay 50kV/µs CMR -40°C to 110°C Range 5V to 30V Supply SO6 Package and Under Voltage Lockout (UVLO) Protection
접촉

TLP350H(F) 고속 1.0A IGBT/MOSFET 게이트 드라이브 옵토커플러, 최대 0.5μs 지연, 50kV/μs CMR, -40°C ~ 110°C 범위, 5V ~ 30V 공급, SO6 패키지 및 저전압 록아웃(UVLO) 보호 특징 버퍼 로직 유형(토템 폴 출력... 자세히보기
2025-12-16 13:14:19
중국 TLC2274AIDR Quad Rail-to-Rail Op Amp with 2.2MHz Bandwidth 3.6V/µs Slew Rate 3V to 16V Supply Low Noise Low Input Bias High Output Drive SOIC-14 Package and Extended Temperature Range 공장

TLC2274AIDR Quad Rail-to-Rail Op Amp with 2.2MHz Bandwidth 3.6V/µs Slew Rate 3V to 16V Supply Low Noise Low Input Bias High Output Drive SOIC-14 Package and Extended Temperature Range
접촉

TLC2274AIDR Quad Rail-to-Rail Op Amp 2.2MHz 대역폭 3.6V/andmicro;s Slew Rate 3V ~ 16V 공급 저음소 저입입 편향 높은 출력 드라이브 SOIC-14 패키지 및 확장 온도 범위 그리고nbsp; 특징 andbull... 자세히보기
2025-12-16 13:14:19
중국 TL074CNS Quad Low-Noise JFET Op Amp with 3MHz Bandwidth 13V/µs Slew Rate ±18V Supply Low Input Bias High-Z Input PDIP-14 Package 0°C to 70°C Range for Analog Signal Processing 공장

TL074CNS Quad Low-Noise JFET Op Amp with 3MHz Bandwidth 13V/µs Slew Rate ±18V Supply Low Input Bias High-Z Input PDIP-14 Package 0°C to 70°C Range for Analog Signal Processing
접촉

TL074CNS 3MHz 대역폭 13V/micro의 Slew 속도와 18V 이상인 Quad 저소음 JFET Op AmpC 범위: 아날로그 신호 처리 그리고nbsp; 특징 그리고 황소; 높은 살해율: 20V/andmu;s (TL07xH, typ) andbull; 낮은 오... 자세히보기
2025-12-16 13:14:19
중국 TL072CDR Low-Noise JFET-Input Op Amp with 3MHz Bandwidth 13V/µs Slew Rate ±18V Supply Low Input Bias High Input Impedance 0°C to 70°C Range and SOIC-8 Package for Audio and Precision Applications 공장

TL072CDR Low-Noise JFET-Input Op Amp with 3MHz Bandwidth 13V/µs Slew Rate ±18V Supply Low Input Bias High Input Impedance 0°C to 70°C Range and SOIC-8 Package for Audio and Precision Applications
접촉

TL072CDR 저소음 JFET-입기 오프 앰프 3MHz 대역폭 13V/micro·s Slew Rate plusmn·18V 공급 저입기 편향성 높은 입기 저항 0anddeg;C ~ 70anddegC 범위 및 SOIC-8 음향 및 증폭기 패키지· 정밀 애플리케이션 그리... 자세히보기
2025-12-16 13:14:18
중국 TL062IDR Low-Power JFET-Input Op Amp with 1MHz Bandwidth 3.5V/µs Slew Rate ±18V Supply 200pA Bias Current High-Z Input 0°C to +70°C Range and SOIC-8 Package for Precision Circuits 공장

TL062IDR Low-Power JFET-Input Op Amp with 1MHz Bandwidth 3.5V/µs Slew Rate ±18V Supply 200pA Bias Current High-Z Input 0°C to +70°C Range and SOIC-8 Package for Precision Circuits
접촉

TL062IDR 저전력 JFET 입력 연산 증폭기, 1MHz 대역폭, 3.5V/μs 슬루율, ±18V 전원, 200pA 바이어스 전류, High-Z 입력, 0°C ~ +70°C 범위 및 정밀 회로용 SOIC-8 패키지 특징 • 매우 낮은 전력 소비 • 일반적인 공급 전... 자세히보기
2025-12-16 13:14:18
중국 TDA8950TH/N1,118 2x 150W High-Efficiency Class-D Amplifier with 0.01% THD 95dB PSRR ±12V to ±40V Supply Full Protection Parallel Mode Mute/Standby and Thermal Shutdown 공장

TDA8950TH/N1,118 2x 150W High-Efficiency Class-D Amplifier with 0.01% THD 95dB PSRR ±12V to ±40V Supply Full Protection Parallel Mode Mute/Standby and Thermal Shutdown
접촉

TDA8950TH/N1,118 2x 150W 고효율 D급 증폭기 0.01% THD 95dB PSRR +mn;12V ~ +mn;40V 공급 완전 보호 병렬 모드 무성 / 대기 및 열 종료 그리고nbsp; 특징 HSOP24 및 DBS23P 패키지 모두에 TDA8920B와 ... 자세히보기
2025-12-16 13:14:18
중국 STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control 공장

STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control
접촉

STP55NF06FP 55A 60V N-채널 전력 MOSFET, andlt;0.02andOmega; RDS(on) TO-220FP, 애벌런치 등급, 로직 레벨, 고속 스위칭 및 효율적인 전력 제어를 위한 낮은 게이트 전하 andnbsp; 특징 1: 낮은 온 저항 (낮은 ... 자세히보기
2025-12-16 13:14:18
중국 STM32F407IGT6 168MHz Cortex-M4 w/ FPU 1MB Flash 192KB RAM Ethernet Camera IF Cryptographic Acceleration Extensive Timers and Connectivity 공장

STM32F407IGT6 168MHz Cortex-M4 w/ FPU 1MB Flash 192KB RAM Ethernet Camera IF Cryptographic Acceleration Extensive Timers and Connectivity
접촉

STM32F407IGT6 168MHz Cortex-M4(FPU 포함) 1MB 플래시 192KB RAM 이더넷 카메라 IF 암호화 가속 확장 타이머 및 앰프; 연결성 andnbsp; 특징 황소; ST의 최첨단 특허 기술 포함 황소; 코어: 아르만드레그; FPU가 포함된 ... 자세히보기
2025-12-16 13:14:18
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4G 5G 모듈

대패를 위한 고속 GSM 세포질 단위 4G LTE 단위, Netbooks

장거리 RF 4G LTE Cat 6 모듈 EM7430 주로 아시아 태평양 MDM9230 칩셋

MC7430 MDM9230 4G LTE 모듈

Qualcomm MDM9230 칩셋 4G는 무선 단위 MC7455 USB 3.0를 끼워넣었습니다

기판 조립 서비스

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두꺼운 금 도금 표면을 가진 2200mA 18650 충전기 PCB 회의 서비스

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